Карбид-кремниевые транзисторы Wolfspeed для источников питания телекоммуникационного оборудования

24 марта
Александр Русу (г. Одесса) Расчеты компании Wolfspeed и опорные проекты на их основе показывают, что для выпрямительных устройств, предназначенных для питания телекоммуникационного и компьютерного оборудования, использование высоковольтных карбид-...
телекоммуникацииWolfspeedстатьядискретные полупроводникиMOSFET

Транзисторы Linear Power MOSFET от Littelfuse – безопасная работа в активном режиме

22 марта
Транзисторы Linear Power MOSFET производства компании Littelfuse обеспечивают безопасную работу в схемах, где требуется длительная работа в активном режиме. Благодаря использованию механизмов подавления положительной обратной связи они не склонны ...
управление питаниемLittelfuseстатьядискретные полупроводникиMOSFET

Преимущества многоуровневых преобразователей для систем хранения энергии

3 марта
Питер Б. Грин (Infineon) В многоуровневых преобразователях, используемых для систем хранения энергии, выработанной, например, солнечными батареями, можно использовать транзисторы семейств StrongIRFET или OptiMOS производства Infineon в специализир...
управление питаниемInfineonстатьядискретные полупроводникиMOSFET

Особенности транзисторов в корпусах ISOPLUS производства Littelfuse

1 марта
Компания Littelfuse представляет линейку корпусов ISOPLUS, различающихся формой и количеством выводов и предназначенных как для установки в отверстия, так и для поверхностного монтажа. Корпуса ISOPLUS, выполняющие функции узла распределения тепла,...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемLittelfuseстатьядискретные полупроводникиMOSFETIGBTMotor Drive

Решения для отвода тепла от силовых приборов поверхностного монтажа

24 февраля
Цзяньвень Шао, Франк Вэй, Синь Чжао, Джеймс Соловей (Wolfspeed) Инженеры компании Wolfspeed на основании проведенного исследования рассказывают, как наиболее оптимально расположить переходные отверстия для отвода тепла от силовых приборов поверхно...
автомобильная электроникауправление питаниемWolfspeedстатьядискретные полупроводникиMOSFET

Транзисторы CoolMOS S7 для твердотельных реле нового поколения

22 февраля
Стефан Люкассер (Infineon) Разработанная компанией Infineon технология изготовления полевых транзисторов с суперпереходом позволила создать семейство MOSFET CoolMOS S7, которое, в свою очередь, привело к появлению на рынке малогабаритных, дешевых ...
автомобильная электроникапотребительская электроникауниверсальное применениеInfineonстатьядискретные полупроводникиMOSFETПромавтоматика

Платформа силовых модулей WolfPACK ускоряет разработку преобразователей для быстрой зарядки электротранспорта

17 февраля
Блейк В. Нельсон (Wolfspeed) Платформа модулей FM3, разработанная компанией Wolfspeed, упрощает проектирование силовых каскадов преобразователя, сокращая время разработки и стоимость устройств для быстрого заряда аккумуляторов электротранспорта. W...
автомобильная электроникауправление питаниемWolfspeedстатьядискретные полупроводникиMOSFET

Транзисторы для мощных источников питания: какую технологию выбрать?

10 февраля
Франческо Ди Доменико (Infineon) Читая восторженные статьи о внедрении широкозонных полупроводников (SiC и GaN), можно прийти к выводу, что эра кремния в мощных импульсных источниках питания закончилась. Однако есть масса приложений, где он остает...
телекоммуникацииуправление питаниемInfineonстатьядискретные полупроводникиMOSFET

Применение SiC MOSFET в высокочастотном силовом преобразователе 6,6 кВт с высокой удельной мощностью

28 января
Юэцюань Ху, Цзяньвень Шао, Тейк Сянг Онг (Wolfspeed) Применение полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC) производства Wolfspeed в высокочастотном резонансном LLC‑преобразователе позволяет уменьшить на 50% массогабаритные показате...
управление питаниемуниверсальное применениеWolfspeedстатьядискретные полупроводникиMOSFETSiC MOSFET

Транзисторы OptiMOS с ориентацией кристалла истоком вниз могут стать новым стандартом в изготовлении MOSFET

25 января
Бастиан Ланг (Infineon) Традиционно производители дискретных силовых полупроводниковых приборов добиваются улучшения ключевых характеристик (RdsON и теплового сопротивления «кристалл-корпус») за счет усовершенствования кристалла. Однако специалист...
телекоммуникацииуправление питаниемInfineonстатьядискретные полупроводникиMOSFETMotor Drive