SiC MOSFET 1700 В как ключевой элемент вспомогательных источников питания

19 февраля
Александр Русу (г. Одесса) Ключевыми особенностями высоковольтных SiC MOSFET Wolfspeed являются малое сопротивление канала в открытом состоянии и минимальное значение паразитных емкостей, что позволяет максимально снизить статические и динамически...
управление питаниемответственные применениялабораторные приборыWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиMOSFETAC-DCSiC MOSFET

CoolSiC MOSFET: революция в преобразователях питания

18 февраля
Петер Фридрихс (Infineon) Что привлекает в SiC по сравнению с кремнием, и какие особенности делают компоненты SiC часто используемыми, несмотря на более высокую стоимость в сравнении с кремниевыми высоковольтными устройствами? – Объясняет специали...
телекоммуникацииавтомобильная электроникасветотехникауправление питаниемуправление двигателемлабораторные приборыуниверсальное применениеInfineonстатьядискретные полупроводникиMOSFETAC-DCККМSiC MOSFET

Когда имеет смысл менять кремниевые транзисторы на карбид-кремниевые?

20 января
Рене Менте (Infineon) К числу целевых приложений SiC MOSFET на напряжение 650 В производства Infineon относятся системы электропитания, в которых требуется обеспечить КПД ≥ 97%, импульсные преобразователи, в которых используется или может возникну...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемлабораторные приборыInfineonстатьядискретные полупроводникиMOSFETAC-DCMotor DriveSiC MOSFET

Решения Wolfspeed для корректоров коэффициента мощности энергоэффективных источников питания

30 декабря 2020
Александр Русу (г. Одесса) Схема коррекции коэффициента мощности (ККМ) на основе так называемого «тотемного столба» (Totem Pole) обладает минимально возможными потерями и потенциально может обеспечить самые жесткие требования к энергоэффективности...
телекоммуникацииуправление питаниеммедицинаWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиSiCMOSFETККМSiC MOSFETPFC

Преимущества SiC-технологии и их использование: MOSFET и драйверы затвора Infineon

23 декабря 2020
Джованбаттиста Маттиуси, Диого Варахао (Infineon) С целью поддержки своих карбид-кремниевых MOSFET из линейки CoolSiC, обеспечивающих наиболее высокую в отрасли производительность, компания Infineon предлагает шесть моделей специализированных ИС д...
управление питаниемуправление двигателемInfineonстатьяинтегральные микросхемыSiCMOSFETIGBTAC-DCSiC MOSFET

Схемы и решения для управления затвором на базе ИС драйверов серии EiceDriver от Infineon

14 декабря 2020
Диого Вараджо (Infineon Technologies), Кармен Мендитти Матришано (Infineon Technologies) Самые современные драйверы управления 2EDi, 1EDB, 2EDN, 1EDN и 1EDN-TDI семейств GaN EiceDRIVER™ и EiceDRIVER™ от Infineon по своим показателям ...
телекоммуникацииуправление питаниемответственные примененияInfineonстатьяинтегральные микросхемыMOSFETIGBTAC-DCККМ

Новые SiC-диоды 6 поколения от Wolfspeed на 650 В в корпусе D-Pak

11 декабря 2020
Являясь одним из лидеров в области карбид-кремниевых силовых компонентов, компания Wolfspeed продолжает развивать линейку SiC-приборов. На этот раз расширена линейка диодов Шоттки 6-го поколения на напряжение 650 В в корпусе TO-252 (D-PAK). Основн...
телекоммуникацииуправление питаниемответственные примененияWolfspeed (A Cree Company)новостьдискретные полупроводникиMOSFETAC-DCSiC MOSFET

Силовые ключи верхнего плеча Power PROFET для автомобилей

10 декабря 2020
В руководстве представлена информация, которая дополняет техническую спецификацию силовых ключей семейства Power PROFET производства Infineon. Рассмотрены назначение и принцип действия ряда функций, реализованных в этих ключах, а также функциониро...
автомобильная электроникауправление питаниемуправление двигателемответственные примененияInfineonстатьяинтегральные микросхемыMOSFETсиловой ключинтеллектуальный ключ

Новые CoolSiC MOSFET 650 В – революция в области источников питания

8 декабря 2020
Компания Infineon представила новые высоковольтные MOSFET 650 В серии CoolSiC, выполненные по технологии Trench. Используя 20-летний опыт разработки силовых полупроводниковых приборов, Infineon выпустила транзисторы на основе карбида кремния (SiC)...
телекоммуникациисветотехникауправление питаниеммедицинаответственные примененияInfineonновостьдискретные полупроводникиMOSFETAC-DCSiC MOSFET

Надежность технологии CoolSiC от Infineon. Часть 2

4 декабря 2020
Александр Русу (г. Одесса) Помимо стабильности основных технических характеристик карбид-кремниевых транзисторов линейки CoolSiC, компания Infineon довела до значений, соответствующих кремниевым аналогам, такие параметры, как устойчивость к времен...
управление питаниемуправление двигателемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводникиSiCMOSFETMotor DriveSiC MOSFET