Модули CoolSiC MOSFET 1200 В в корпусе 62 мм

20 октября
Компания Infineon представила новые MOSFET-модули на основе карбида кремния напряжением 1200 В семейства CoolSiC. Транзисторы CoolSiC – отличное решение для систем средней и высокой мощности, которое упрощает конструкцию приложения, уменьшая его р...
управление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводникиMOSFETSiC MOSFETcoolsicСиловая электроника

Новые транзисторы SiC MOSFET с трехкратным снижением потерь на переключение

15 октября
Эдгар Айербе, Адам Баркли, Джон Муккен (Wolfspeed) Значение скорости переключения MOSFET в традиционных корпусах ограничено многими факторами. Компания Wolfspeed предлагает для своих MOSFET на базе карбида кремния два новых вида корпусов. Применен...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемответственные примененияWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиMOSFETAC-DCзарядное устройство для электромобиляисточник питания для телекомапреобразователь собственных нужд для метро/локомотива

Новая веха: SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed

9 октября
Компания Wolfspeed (Cree Power) – технологический пионер в сфере перехода от кремниевых силовых полупроводников к карбид-кремниевым. После успешного выпуска транзисторов на 1200 В следующим шагом в развитии решений высокой мощности является начало...
телекоммуникациисветотехникауправление питаниемWolfspeed (A Cree Company)новостьдискретные полупроводникиMOSFETAC-DC

MOSFET CoolSiC на 1700 В в корпусе D2PAK-7L – новое решение для высоковольтных вспомогательных ИП

24 сентября
Компания Infineon представила новую линейку транзисторов на основе карбида кремния (SiC), входящих в семейство CoolSiC. Новые MOSFET имеют рабочее напряжение 1700 В и оптимизированы для работы во вспомогательных источниках питания. Благодаря высок...
автомобильная электроникауправление двигателемпотребительская электроникаавтоматизацияуниверсальное применениеInfineonновостьдискретные полупроводники

Новые MOSFET с логическим уровнем 120 В в корпусе SuperSO8

18 сентября
Компания Infineon дополнила семейство транзисторов OptiMOS тремя новыми компонентами в компактном корпусе SuperSO8, работающими с логическим уровнем 120 В. Новые MOSFET имеют низкий заряд затвора, что снижает коммутационные потери и позволяет рабо...
телекоммуникациипотребительская электроникауниверсальное применениеInfineonновостьдискретные полупроводники

Новые MOSFET семейства StrongIRFET на 40/60 В в компактном корпусе D2PAK 7pin

16 сентября
Продолжая расширять семейство транзисторов StrongIRFET, компания Infineon выпустила на рынок новую линейку компонентов на 40/60 В в корпусе D2PAK 7pin. Данные MOSFET оптимизированы для работы с высокими значениями тока и имеют низкое сопротивление...
управление двигателемпотребительская электроникаавтоматизацияуниверсальное применениеInfineonновостьдискретные полупроводники

Драйверы MOSFET/IGBT Infineon – силой нужно управлять!

10 сентября
Компания Infineon совершила настоящую революцию в силовой электронике. Специалисты Infineon не только усовершенствовали традиционные кремниевые MOSFET (серия CoolMOS) и IGBT, но и выпустили компоненты на базе принципиально иных материалов – нитрид...
управление питаниемInfineonновостьинтегральные микросхемыдискретные полупроводникиMOSFETIGBTCoolMOS™infineoncoolgancoolsic

IGT40R070D1E8220 – новые 400 В GaN транзисторы Infineon

8 сентября
Компания Infineon представила новые 400 В галлий-нитридные HEMT-транзисторы (транзисторы с высокой подвижностью электронов) серии CoolGaN, выполненные по технологии и работающие в режиме Enhancement mode (e-mode). Новые транзисторы выпущены как пр...
управление питаниемInfineonновостьинтегральные микросхемыдискретные полупроводникиАудиоAC-DCGaN

Новые 1200 В CoolSiC G5 диоды Шоттки в двухвыводном корпусе D2PAK

1 сентября
Новинка от Infineon: следуя тенденциям сокращения габаритов высоковольтных устройств, компания выпустила на рынок новые 1200 В диоды Шоттки пятого поколения (Gen 5), выполненные по технологии CoolSiC в корпусе D2PAK (TO-263-2). Средний ток диодов ...
телекоммуникацииуправление питаниемответственные примененияInfineonновостьдискретные полупроводникиSiCAC-DCSiC Diode

Новые CoolSiC MOSFET 650 В – революция в области источников питания

26 августа
Компания Infineon представила новые высоковольтные MOSFET 650 В серии CoolSiC, выполненные по технологии Trench. Используя 20-летний опыт разработки силовых полупроводниковых приборов, Infineon выпустила транзисторы на основе карбида кремния (SiC)...
телекоммуникациисветотехникауправление питаниеммедицинаответственные примененияInfineonновостьдискретные полупроводникиMOSFETAC-DCSiC MOSFET