Александр Русу (г. Одесса)
Транзисторы CoolMOS™ производства Infineon с диодами CFD7 со сверхмалой величиной заряда обратного восстановления идеальны для выпрямительных устройств вычислительной и телекоммуникационной техники.
Специфическая ...
Виктор Чистяков (г. Малоярославец)
Один из важнейших технологических процессов в производстве литий-ионных аккумуляторов – электрохимическая формовка. Infineon предлагает новые компоненты для построения систем электропитания этого процесса.
С повс...
HEMT-транзисторами Infineon можно управлять и с помощью драйверов для MOSFET. Но недостатки методов, применяемых для этого, заставляют обратить внимание на специализированные драйверы GaN EiceDRIVER™.
Освоение технологии производства мощных...
Гетероструктурные полевые транзисторы (HFET) производства Infineon позволили построить силовые преобразователи по новым схемам и достичь КПД 99%. Как ожидается, они вскоре станут стандартом силовой электроники.
Хотя возможности кремниевых полупров...
Семейство высокоинтегрированных интеллектуальных силовых модулей CIPOSTM Mini производства Infineon ориентировано на получение минимальных габаритов и повышенной плотности мощности устройств преобразовательной техники. В них содержатся силовые тра...
Семейство высокоинтегрированных интеллектуальных силовых модулей CIPOSTM Mini производства Infineon ориентировано на получение минимальных габаритов и повышенной плотности мощности устройств преобразовательной техники. В них содержатся силовые тра...
Семейство высокоинтегрированных интеллектуальных силовых модулей CIPOSTM Mini производства Infineon ориентировано на получение минимальных габаритов и повышенной плотности мощности устройств преобразовательной техники. В них содержатся силовые тра...
Применение HEMT-транзисторов CoolGaN™ от Infineon позволяет достичь КПД преобразователей в 99% и плотности энергии 24 Вт/дюйм3 для выпрямителей и 160 Вт/дюйм3 для резонансных LLC-преобразователей.
Сегодня вопросы уменьшения потерь энергии в...
Серия CoolGaN 600 В от Infineon – это транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT), реализованные в соответствии со специально разработанным для GaN процессом квалификации, который кардинально отличен от квалификации других продуктов GaN. ...
Сергей Сотников (КОМПЭЛ)
Порты популярнейшего интерфейса RS-485 могут эксплуатироваться в очень жестких электромагнитных условиях. Компания Bourns предлагает наиболее надежную трехступенчатую схему защиты RS-485 на базе быстродействующих газоразря...