Компания Infineon представила новый EasyPACK-модуль F4-23MR12W1M1_B11 с MOSFET-транзисторами с напряжением «сток-исток» 1200 В и сопротивлением открытого канала 23 мОм. Модуль имеет на борту встроенный датчик температуры NTC, а его монта...
Компания Infineon представила транзисторы IPW60R045P7XKSA1, IPW60R024P7XKSA1, IPP60R160P7XKSA1 в корпусе TO-247, входящие в состав линейки 600-вольтовых транзисторов CoolMOS P7. Линейка CoolMOS P7 является преемницей CoolMOS P6 и объединяет в себе...
Высокоскоростной разъем USB Type-C с тремя группами контактов для дифференциальных линий, двумя парами контактов для линий управления и контактами для линии питания – новый стандарт интерфейса USB. Но его применение требует особых мер для фильтрац...
Компания Infineon представила расширение линейки OptiMOS 3 и 5 — мощные MOSFET-транзисторы в корпусе SuperSO8, наилучшие в своем классе. Их характеризуют высокая выходная мощность, большая надежность и малый уровень сопротивления открытого канала ...
При разработке устройств, в которых основное питание может дублироваться батареей, возникает необходимость ограничить протекание обратных токов. Самым простым и распространенным решением этой проблемы является установка диода. Минусы такого решени...
Компания Infineon представила новые транзисторы IRF100P218, IRF100P219, IRF150P220, IRF150P221 в корпусе TO-247 и с рабочим напряжением от 100 В до 150 В, входящие в линейку StrongIRFET. Транзисторы рассчитаны на работу в приложениях с высоким эне...
В технической инструкции компании Infineon рассматриваются практические примеры расчета наработки на отказ модулей IGBT с учетом энергетических и термических циклических нагрузок.
В приложениях силовой электроники комбинации различных тепловых и с...
Кристиан Джагер, Александр Филиппов, Антонио Веллей, Йоханес Дж. Лавен, Андреас Хертл (Infineon Technologies)
Технология микрошаблонных канавок MPT-IGBT оптимизирована для применения в электроприводе, и на ней основано новое поколение транзисторов...
Littelfuse выпустил новые низкоемкостные TVS-сборки SP3384NUTG с рабочим напряжением 3,3 В, предназначенные для защиты интерфейсных линий в приложениях 10 Gigabit Ethernet (GbE).
Данные TVS-сборки обеспечивают защиту высокоскоростных интерфейсов о...
600-вольтовые super-junction MOSFET CoolMOS P7 являются преемниками серии 600 В CoolMOS P6. Данные транзисторы наследуют тот же принцип высокой эффективности при простоте использования. Транзисторы этой линейки имеют лучшие в своем классе показате...