Когда следует сменить кремниевые транзисторы на карбид-кремниевые 30 августа К числу целевых приложений SiC MOSFET производства SUNCO с напряжением 650 В относятся системы электропитания с КПД ≥ 97%, импульсные преобразователи, в которых используется или может возникнуть режим жестких переключений, а также мощное силовое о... телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемлабораторные приборыSUNCOстатьядискретные полупроводникиMOSFETAC-DCMotor DriveSiC MOSFET
Транзисторы SJ MOSFET от SUNCO – решение для напряжений до 600 В 20 августа Кремниевые транзисторы MOSFET продолжают оставаться основой силовой электроники. Причины – хорошо отработанная технология, низкая цена, простота схем управления. Для того, чтобы повысить максимально допустимое напряжение между стоком и истоком, пр... управление питаниемуправление двигателемSUNCOновостьдискретные полупроводникиTO-247SJ MOSFETTOLL
Новые карбид-кремниевые MOSFET-транзисторы SUNCO в корпусе TOLL для компактных устройств высокой мощности 13 августа Китайская компания SUNCO начала выпуск новых MOSFET-транзисторов на основе карбида кремния в корпусе TOLL (таблица 1). Этот корпус рассчитан на большие токи до 300 А, а его выводы обладают низкой паразитной индуктивностью. Ее значения у TOLL гораз... управление питаниемуправление двигателемSUNCOновостьдискретные полупроводникиSiC MOSFETкомпактный корпусTOLL
DGW50N120CTL1J – новый дискретный IGBT от SUNCO в корпусе TO-247 с быстрым обратным диодом 9 августа Компания SUNCO (Китай) представила новый дискретный IGBT-транзистор DGW50N120CTL1J в корпусе TO-247 (рисунок 1). Его номинальное значение тока составляет 50 А, а напряжение пробоя – 1200 В. Важным преимуществом транзистора является наличие в нем о... управление питаниемуправление двигателемSUNCOновостьдискретные полупроводникиIGBTвысоковольтное применениепреобразователь частоты
Новые IGBT-модули SUNCO 12 класса в популярных корпусах C2 (62мм) и E3 (Econodual) 1 августа Китайская компания SUNCO выпустила новую серию IGBT-модулей MG600H напряжением 1200 В и током 600 A (таблица 1). Силовые модули выпускаются в корпусах 62 mm (C2) и Econodual (E3). Они предназначены для применения в частотных преобразователях элект... управление питаниемуправление двигателемSUNCOновостьдискретные полупроводникиIGBT62 mmEconoDual
Новинка от SUNCO: SiC-транзисторы в корпусе TOLL 26 июля Современная тенденция в развитии силовой электроники – переход от кремния к карбиду кремния (SiC). Главная особенность SiC – более широкая запрещенная зона полупроводника. На практике это означает возможность работы при более высоких температурах,... управление питаниемуправление двигателемSUNCOновостьдискретные полупроводникиSiC MOSFETкомпактный корпусTOLL
Новые диодные мосты SUNCO серии MT-W для широкого спектра применений 19 июля Использование в выпрямителях готовых модулей диодных мостов вместо набора дискретных элементов является современной тенденцией. Благодаря этому производители электроники получают такие преимущества, как меньшие габариты, простота монтажа и более в... управление питаниемуправление двигателемSUNCOновостьдискретные полупроводникивысоковольтное применениеДиодный мосткомпактный корпус
SUNCO – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов 16 июля Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания SUNCO осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике, телекоммуникац... телекоммуникациитерминалы продажуправление питаниемуправление двигателемSUNCOстатьядискретные полупроводникиMOSFETIGBTTVS-диодыДиодыESD-защита
На склад КОМПЭЛ поступили SiC-MOSFET производства ATS и Anbon 8 июля Карбид кремния как материал, обладающий полупроводниковыми свойствами, известен более века, но его массовое применение в полупроводниковых приборах началось относительно недавно благодаря усовершенствованию и удешевлению технологии производства. Э... управление питаниемуправление двигателемAnbon SemiATSновостьдискретные полупроводникиSiC MOSFETTO-247TO-263
Полупроводниковые компоненты JSCJ для солнечной энергетики 26 июня Электроэнергия, вырабатываемая солнечной батареей, может быть преобразована в удобную для потребителя форму разными способами, имеющими свои особенности. Одним из них является применение микроинверторов – преобразователей постоянного тока в переме... управление питаниемJSCJновостьдискретные полупроводникиMOSFETIGBTTVSLDOШотткиМикроинвертор