Новые гибридные 650 В TRENCHSTOP CoolSiC IGBT вчера Компания Infineon представила новые гибридные IGBT-транзисторы на 650 В, которые сочетают в себе преимущества технологий TRENCHSTOP и CoolSiC. Использование SiC-диода Шоттки позволяет значительно расширить возможности IGBT и снизить уровень энерги... телекоммуникацииуправление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводникиIGBTAC-DCHybrid IGBT
Новые MOSFET OptiMOS 5 с двухсторонним охлаждением 31 декабря 2020 Компания Infineon представила новую линейку MOSFET с двусторонним охлаждением, входящую в семейство OptiMOS 5. Новые транзисторы поставляются в корпусе SuperSO8 5×6 SC (super cooling), что позволяет улучшить отвод тепла и создавать приложения... телекоммуникацииавтомобильная электроникауправление двигателемпотребительская электроникаInfineonновостьдискретные полупроводники
Учет влияния паразитной индуктивности при разработке силового преобразователя 30 декабря 2020 Клаус Фогель, Адальберто Росса, Дэвид Леветт (Infineon) Применение скоростных микросхем IGBT в силовых преобразователях при более высоких уровнях тока возможно только в системах с низкой индуктивностью. Новые IGBT-чипы компании Infineon и рекоменд... управление двигателемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводникиIGBTSiC MOSFET
Решения Wolfspeed для корректоров коэффициента мощности энергоэффективных источников питания 30 декабря 2020 Александр Русу (г. Одесса) Схема коррекции коэффициента мощности (ККМ) на основе так называемого «тотемного столба» (Totem Pole) обладает минимально возможными потерями и потенциально может обеспечить самые жесткие требования к энергоэффективности... телекоммуникацииуправление питаниеммедицинаWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиSiCMOSFETККМSiC MOSFETPFC
Силовые модули по технологии Solder Bond типоразмеров 34 и 50 мм 28 декабря 2020 Электронные силовые полупроводниковые модули производства Infineon выполнены по технологии Solder Bond и поставляются на рынок в типоразмерах 34 и 50 мм. В статье представлены их основные параметры, особенности монтажа и рассмотрен процесс нанесен... управление питаниемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводникиAC-DC
Карбид-кремниевые диоды компании Wolfspeed 24 декабря 2020 Александр Русу (г. Одесса) В ассортименте компании Wolfspeed имеются дискретные карбид-кремниевые диоды, изготовленные по технологиям JBS и MPS, с максимально допустимыми напряжениями 600 В, 650 В, 1200 В и 1700 В и максимальным током от 1 до 50 А... телекоммуникацииуправление питаниемуниверсальное применениеWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиSiCAC-DCSiC Diode
IGT40R070D1E8220 – новые 400 В GaN транзисторы Infineon 15 декабря 2020 Компания Infineon представила новые 400 В галлий-нитридные HEMT-транзисторы (транзисторы с высокой подвижностью электронов) серии CoolGaN, выполненные по технологии и работающие в режиме Enhancement mode (e-mode). Новые транзисторы выпущены как пр... управление питаниемInfineonновостьинтегральные микросхемыдискретные полупроводникиАудиоAC-DCGaN
Новые 1200 В CoolSiC G5 диоды Шоттки в двухвыводном корпусе D2PAK 11 декабря 2020 Новинка от Infineon: следуя тенденциям сокращения габаритов высоковольтных устройств, компания выпустила на рынок новые 1200 В диоды Шоттки пятого поколения (Gen 5), выполненные по технологии CoolSiC в корпусе D2PAK (TO-263-2). Средний ток диодов ... телекоммуникацииуправление питаниемответственные примененияInfineonновостьдискретные полупроводникиSiCAC-DCSiC Diode
Новые SiC-диоды 6 поколения от Wolfspeed на 650 В в корпусе D-Pak 11 декабря 2020 Являясь одним из лидеров в области карбид-кремниевых силовых компонентов, компания Wolfspeed продолжает развивать линейку SiC-приборов. На этот раз расширена линейка диодов Шоттки 6-го поколения на напряжение 650 В в корпусе TO-252 (D-PAK). Основн... телекоммуникацииуправление питаниемответственные примененияWolfspeed (A Cree Company)новостьдискретные полупроводникиMOSFETAC-DCSiC MOSFET
Новые CoolSiC MOSFET 650 В – революция в области источников питания 8 декабря 2020 Компания Infineon представила новые высоковольтные MOSFET 650 В серии CoolSiC, выполненные по технологии Trench. Используя 20-летний опыт разработки силовых полупроводниковых приборов, Infineon выпустила транзисторы на основе карбида кремния (SiC)... телекоммуникациисветотехникауправление питаниеммедицинаответственные примененияInfineonновостьдискретные полупроводникиMOSFETAC-DCSiC MOSFET