Технология Maxim Integrated nanoPower: когда малый IQ имеет преимущества

8 ноября
Вера Ефремова (г. Екатеринбург) При разработке устройств с батарейным питанием важно выбирать компоненты не просто с малым потреблением, но и с предельно малым током покоя. При этом следует обратить внимание на линейку nanoPower производства компа...
системы безопасностиучёт ресурсовуправление питаниеммедицинапотребительская электроникаинтернет вещейMaxim Integratedстатьяинтегральные микросхемыдискретные полупроводникипассивные ЭК и электромеханикасредства разработки и материалы

О быстрой зарядке аккумуляторов электромобилей

11 октября
Прадип Чатержи, Маркус Хермвил (Infineon) Чтобы электромобиль стал по-настоящему распространенным, необходимы доступные средства быстрой зарядки его аккумулятора. В ассортименте Infineon уже сейчас имеется все необходимое для этого.  В настоящее в...
управление питаниемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводники

Система батарейного питания для беспроводного LTE-модуля NB-IoT

8 октября
Милен Стефанов, Шуан Фэн (Texas Instruments) Типовая разработка Texas Instruments с тремя преобразователями питания совместно с микросхемами контроля состояния разряда позволяет точно измерить состояние литиевых батареек в NB-IoT-устройствах и пер...
системы безопасностиучёт ресурсовинтернет вещейTexas Instrumentsстатьяинтегральные микросхемыисточники питаниядискретные полупроводники

Применение нитрид-галлиевых гетероструктурных транзисторов в выпрямительных устройствах

27 сентября
Александр Русу (г. Одесса) Использование HEMT-транзисторов производства Infineon позволит значительно улучшить технические характеристики выпрямительных устройств стандарта USB-PD, поддерживающего оборудование мощностью до 100 Вт. Резкое увеличени...
телекоммуникацииуправление питаниемInfineonстатьяинтегральные микросхемыдискретные полупроводники

Беспроводной ультразвуковой детектор утечки газа с увеличенным временем работы от батарейки

24 сентября
Texas Instruments представляет разработку системы ультразвукового датчика утечки газа с ультрамалым потреблением, автономным питанием и беспроводной связью с базовой станцией.  Данная опорная разработка представляет собой маломощный беспроводной д...
системы безопасностиавтоматизацияTexas Instrumentsстатьяинтегральные микросхемыисточники питаниябеспроводные технологиидискретные полупроводникисредства разработки и материалы

Особенности построения зарядных устройств мощностью 350 кВт на транзисторных модулях Infineon

23 сентября
При разработке «быстрых» зарядных станций для зарядки аккумулятора электромобиля в пути идеально подойдут транзисторные SiC-модули Infineon, в том числе – из семейства CoolSiC™. Профильные организации по всему миру занимаются разработкой ст...
управление питаниемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводники

Транзисторы CoolMOS™ с диодами CFD7 для резонансных преобразователей с высоким КПД

4 сентября
Александр Русу (г. Одесса) Транзисторы CoolMOS™ производства Infineon с диодами CFD7 со сверхмалой величиной заряда обратного восстановления идеальны для выпрямительных устройств вычислительной и телекоммуникационной техники. Специфическая ...
телекоммуникацииуправление питаниемInfineonстатьядискретные полупроводники

Компоненты Infineon для формовки аккумуляторных элементов питания

23 августа
Виктор Чистяков (г. Малоярославец) Один из важнейших технологических процессов в производстве литий-ионных аккумуляторов – электрохимическая формовка. Infineon предлагает новые компоненты для построения систем электропитания этого процесса. С повс...
управление питаниемответственные примененияInfineonстатьяинтегральные микросхемыисточники питаниядискретные полупроводники

Интегральные драйверы для нитрид-галлиевых гетероструктурных транзисторов CoolGaN™

16 августа
HEMT-транзисторами Infineon можно управлять и с помощью драйверов для MOSFET. Но недостатки методов, применяемых для этого, заставляют обратить внимание на специализированные драйверы GaN EiceDRIVER™. Освоение технологии производства мощных...
телекоммуникацииуправление питаниемInfineonстатьяинтегральные микросхемыдискретные полупроводники

Гетероструктурные транзисторы CoolGaN™ – преимущества и особенности управления

24 июля
Гетероструктурные полевые транзисторы (HFET) производства Infineon позволили построить силовые преобразователи по новым схемам и достичь КПД 99%. Как ожидается, они вскоре станут стандартом силовой электроники. Хотя возможности кремниевых полупров...
телекоммуникацииуправление питаниемInfineonстатьяинтегральные микросхемыдискретные полупроводникиMOSFETGaNHEMT