Алексей Гребенников (г. Москва)
Защита от статического электричества необходима каждому современному устройству. Основным компонентом множества электронных плат является микроконтроллер, имеющий набор периферийных блоков, разъемы для подключения а...
С тех пор как силовая электроника и преобразовательная техника окончательно утвердились в нашей жизни, эффективное использование электрической энергии превратилось из абстрактного лозунга в насущную необходимость. Требования к преобразователям пос...
Обобщив богатый опыт и ноу-хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET — революционную технологию, позволяющую кардинально улучшить параметры устройств.
По сравнению с традиционными ключами на базе кремни...
Александр Русу (г. Одесса)
Бортовая зарядная система электромобиля должна поддерживать передачу энергии в двух направлениях: из сети в аккумулятор (режим заряда) и из аккумулятора в сеть (режим генератора). Компания Wolfspeed предлагает для этого ...
Александр Русу (г. Одесса)
Ключевыми особенностями высоковольтных SiC MOSFET Wolfspeed являются малое сопротивление канала в открытом состоянии и минимальное значение паразитных емкостей, что позволяет максимально снизить статические и динамически...
Петер Фридрихс (Infineon)
Что привлекает в SiC по сравнению с кремнием, и какие особенности делают компоненты SiC часто используемыми, несмотря на более высокую стоимость в сравнении с кремниевыми высоковольтными устройствами? – Объясняет специали...
Джеральд Дибой, Петер Фридрихс (Infineon)
Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку ...
Алексей Гурвич, Оливер Шиллинг и другие (Infineon Technologies)
С каждым годом на рынке возрастает число частотно-регулируемых приводов (ЧРП). В настоящее время ЧРП широко используются во многих промышленных приложениях. В некоторых применениях, т...
Wolfspeed (силовое подразделение CREE) расширяет лидерство в сегменте дискретных SiC MOSFET на напряжение 650 В. В массовое производство поступили новые изделия (третье поколение) с сопротивлениями 25, 40 и 120 мОм. Третье поколение SiC MOSFET (C3...
Новинка от компании Infineon – гибридные силовые модули EasyPACK, основанные на TRENCHSTOP 5 CoolSiC IGBT. Использование преимуществ технологий TRENCHSTOP и CoolSiC в одном IGBT является прекрасным выбором для перехода от традиционных IGBT на осно...