Низкоемкостные TVS-сборки SP3384NUTG от Littelfuse для защиты 10Gb Ethernet

13 февраля
Littelfuse выпустил новые низкоемкостные TVS-сборки SP3384NUTG с рабочим напряжением 3,3 В, предназначенные для защиты интерфейсных линий в приложениях 10 Gigabit Ethernet (GbE). Данные TVS-сборки обеспечивают защиту высокоскоростных интерфейсов о...
телекоммуникацииинтернет вещейLittelfuseновостьдискретные полупроводникиLVDSEthernetESDIEC 61000-4-2LittelfuseзащитаIEC 61000-4-5TVS-сборки10GbEIEC 61000-4-4

Новая линейка 600 В CoolMOS транзисторов P7 от Infineon

3 февраля
600-вольтовые super-junction MOSFET CoolMOS P7 являются преемниками серии 600 В CoolMOS P6. Данные транзисторы наследуют тот же принцип высокой эффективности при простоте использования. Транзисторы этой линейки имеют лучшие в своем классе показате...
телекоммуникацииуправление питаниемInternational RectifierInfineonновостьдискретные полупроводники

Уменьшение стоимости инверторов мощностью более 75 кВт путем интеграции токоизмерительных шунтов в силовые модули

27 декабря 2019
Клаус Фогель, Майкл Гадерманн, Андреас Шмаль, Кристоф Урбан (Infineon Technologies) Компания Infineon при использовании силовых модулей со встроенными токоизмерительными резисторами вместо датчиков Холла в инверторах мощностью более 75 кВт добилас...
управление питаниемуправление двигателемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводники

Лучшие в своем классе: силовые модули EconoDUAL 3 с IGBT7

12 декабря 2019
Клаус Фогель, Ян Баурихтер, Оливер Лензе, Ульрих Нольтен, Александер Филлипоу, Филипп Росс, Андреас Шмаль, Кристоф Урбан (Infineon Technologies)  В статье рассмотрены технические особенности новых силовых модулей EconoDUAL™ 3 производства I...
управление двигателемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводники

Новые 1200 В CoolSiC G5 диоды Шоттки в двухконтактном корпусе TO-247

11 декабря 2019
Новые диоды Шоттки линейки CoolSiC от компании Infineon выполнены в двухконтактном корпусе TO-247, что позволяет быстро заменить ими традиционные биполярные кремниевые диоды. Увеличенный путь утечки по поверхности изолятора (8,7 мм), а также налич...
управление питаниемответственные примененияInfineonновостьдискретные полупроводники

Технология Maxim Integrated nanoPower: когда малый IQ имеет преимущества

8 ноября 2019
Вера Ефремова (г. Екатеринбург) При разработке устройств с батарейным питанием важно выбирать компоненты не просто с малым потреблением, но и с предельно малым током покоя. При этом следует обратить внимание на линейку nanoPower производства компа...
системы безопасностиучёт ресурсовуправление питаниеммедицинапотребительская электроникаинтернет вещейMaxim Integratedстатьяинтегральные микросхемыдискретные полупроводникипассивные ЭК и электромеханикасредства разработки и материалы

О быстрой зарядке аккумуляторов электромобилей

11 октября 2019
Прадип Чатержи, Маркус Хермвил (Infineon) Чтобы электромобиль стал по-настоящему распространенным, необходимы доступные средства быстрой зарядки его аккумулятора. В ассортименте Infineon уже сейчас имеется все необходимое для этого.  В настоящее в...
управление питаниемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводники

Система батарейного питания для беспроводного LTE-модуля NB-IoT

8 октября 2019
Милен Стефанов, Шуан Фэн (Texas Instruments) Типовая разработка Texas Instruments с тремя преобразователями питания совместно с микросхемами контроля состояния разряда позволяет точно измерить состояние литиевых батареек в NB-IoT-устройствах и пер...
системы безопасностиучёт ресурсовинтернет вещейTexas Instrumentsстатьяинтегральные микросхемыисточники питаниядискретные полупроводники

Применение нитрид-галлиевых гетероструктурных транзисторов в выпрямительных устройствах

27 сентября 2019
Александр Русу (г. Одесса) Использование HEMT-транзисторов производства Infineon позволит значительно улучшить технические характеристики выпрямительных устройств стандарта USB-PD, поддерживающего оборудование мощностью до 100 Вт. Резкое увеличени...
телекоммуникацииуправление питаниемInfineonстатьяинтегральные микросхемыдискретные полупроводники

Беспроводной ультразвуковой детектор утечки газа с увеличенным временем работы от батарейки

24 сентября 2019
Texas Instruments представляет разработку системы ультразвукового датчика утечки газа с ультрамалым потреблением, автономным питанием и беспроводной связью с базовой станцией.  Данная опорная разработка представляет собой маломощный беспроводной д...
системы безопасностиавтоматизацияTexas Instrumentsстатьяинтегральные микросхемыисточники питаниябеспроводные технологиидискретные полупроводникисредства разработки и материалы