Вера Ефремова (г. Екатеринбург)
При разработке устройств с батарейным питанием важно выбирать компоненты не просто с малым потреблением, но и с предельно малым током покоя. При этом следует обратить внимание на линейку nanoPower производства компа...
Прадип Чатержи, Маркус Хермвил (Infineon)
Чтобы электромобиль стал по-настоящему распространенным, необходимы доступные средства быстрой зарядки его аккумулятора. В ассортименте Infineon уже сейчас имеется все необходимое для этого.
В настоящее в...
Милен Стефанов, Шуан Фэн (Texas Instruments)
Типовая разработка Texas Instruments с тремя преобразователями питания совместно с микросхемами контроля состояния разряда позволяет точно измерить состояние литиевых батареек в NB-IoT-устройствах и пер...
Александр Русу (г. Одесса)
Использование HEMT-транзисторов производства Infineon позволит значительно улучшить технические характеристики выпрямительных устройств стандарта USB-PD, поддерживающего оборудование мощностью до 100 Вт.
Резкое увеличени...
Texas Instruments представляет разработку системы ультразвукового датчика утечки газа с ультрамалым потреблением, автономным питанием и беспроводной связью с базовой станцией.
Данная опорная разработка представляет собой маломощный беспроводной д...
При разработке «быстрых» зарядных станций для зарядки аккумулятора электромобиля в пути идеально подойдут транзисторные SiC-модули Infineon, в том числе – из семейства CoolSiC™.
Профильные организации по всему миру занимаются разработкой ст...
Александр Русу (г. Одесса)
Транзисторы CoolMOS™ производства Infineon с диодами CFD7 со сверхмалой величиной заряда обратного восстановления идеальны для выпрямительных устройств вычислительной и телекоммуникационной техники.
Специфическая ...
Виктор Чистяков (г. Малоярославец)
Один из важнейших технологических процессов в производстве литий-ионных аккумуляторов – электрохимическая формовка. Infineon предлагает новые компоненты для построения систем электропитания этого процесса.
С повс...
HEMT-транзисторами Infineon можно управлять и с помощью драйверов для MOSFET. Но недостатки методов, применяемых для этого, заставляют обратить внимание на специализированные драйверы GaN EiceDRIVER™.
Освоение технологии производства мощных...
Гетероструктурные полевые транзисторы (HFET) производства Infineon позволили построить силовые преобразователи по новым схемам и достичь КПД 99%. Как ожидается, они вскоре станут стандартом силовой электроники.
Хотя возможности кремниевых полупров...