Для сверхнадёжного электропитания. DRDN20/40 и ERDN20/40 – модули резервирования от Mean Well

30 июля
Компания Mean Well существенно расширила линейку специальных модулей резервирования как по электрическим, так и конструктивным параметрам. К уже выпускаемому модулю DRDN20 (24 В/20 А, на DIN-рейку) добавились модули резервирования на напряжение 5/...
телекоммуникациисистемы безопасностиавтоматизацияответственные примененияMEAN WELLновостьинтегральные микросхемыисточники питаниядискретные полупроводники

Новый EasyPACK- модуль с MOSFET-транзисторами CoolSiC, NTC и технологией PressFIT

14 мая
Компания Infineon представила новый EasyPACK-модуль F4-23MR12W1M1_B11 с MOSFET-транзисторами с напряжением «сток-исток» 1200 В и сопротивлением открытого канала 23 мОм. Модуль имеет на борту встроенный датчик температуры NTC, а его монта...
управление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводники

Новые MOSFET-транзисторы линейки CoolMOS P7 600 В в корпусе TO-247

15 апреля
Компания Infineon представила транзисторы IPW60R045P7XKSA1, IPW60R024P7XKSA1, IPP60R160P7XKSA1 в корпусе TO-247, входящие в состав линейки 600-вольтовых транзисторов CoolMOS P7. Линейка CoolMOS P7 является преемницей CoolMOS P6 и объединяет в себе...
телекоммуникацииуправление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводники

Защита и фильтрация для линий USB Type-C

27 марта
Высокоскоростной разъем USB Type-C с тремя группами контактов для дифференциальных линий, двумя парами контактов для линий управления и контактами для линии питания – новый стандарт интерфейса USB. Но его применение требует особых мер для фильтрац...
потребительская электроникаST Microelectronicsстатьяинтегральные микросхемыдискретные полупроводникиUSBUSB type-cUSB PDTVS-диодФильтрация

Новые мощные MOSFET-транзисторы OptiMOS в корпусе SuperSO8

26 марта
Компания Infineon представила расширение линейки OptiMOS 3 и 5 — мощные MOSFET-транзисторы в корпусе SuperSO8, наилучшие в своем классе. Их характеризуют высокая выходная мощность, большая надежность и малый уровень сопротивления открытого канала ...
телекоммуникацииуправление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводники

MAX40203 – супердиод из линейки Maxim nanoPower

23 марта
При разработке устройств, в которых основное питание может дублироваться батареей, возникает необходимость ограничить протекание обратных токов. Самым простым и распространенным решением этой проблемы является установка диода. Минусы такого решени...
потребительская электроникаавтоматизацияMaxim Integratedновостьдискретные полупроводникисредства разработки и материалы

Новые MOSFET-транзисторы линейки StrongIRFET в корпусе TO-247 и рабочим напряжением 100-150 В

20 марта
Компания Infineon представила новые транзисторы IRF100P218, IRF100P219, IRF150P220, IRF150P221 в корпусе TO-247 и с рабочим напряжением от 100 В до 150 В, входящие в линейку StrongIRFET. Транзисторы рассчитаны на работу в приложениях с высоким эне...
телекоммуникацииуправление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводники

Как избежать отказа силовой электроники: диаграммы энергетических и термических циклов

17 марта
В технической инструкции компании Infineon рассматриваются практические примеры расчета наработки на отказ модулей IGBT с учетом энергетических и термических циклических нагрузок. В приложениях силовой электроники комбинации различных тепловых и с...
ответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводники

Оптимизация на субмикронном уровне: новое поколение IGBT на напряжение 1200 В с микрошаблонными канавками

27 февраля
Кристиан Джагер, Александр Филиппов, Антонио Веллей, Йоханес Дж. Лавен, Андреас Хертл (Infineon Technologies) Технология микрошаблонных канавок MPT-IGBT оптимизирована для применения в электроприводе, и на ней основано новое поколение транзисторов...
управление двигателемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводники

Низкоемкостные TVS-сборки SP3384NUTG от Littelfuse для защиты 10Gb Ethernet

13 февраля
Littelfuse выпустил новые низкоемкостные TVS-сборки SP3384NUTG с рабочим напряжением 3,3 В, предназначенные для защиты интерфейсных линий в приложениях 10 Gigabit Ethernet (GbE). Данные TVS-сборки обеспечивают защиту высокоскоростных интерфейсов о...
телекоммуникацииинтернет вещейLittelfuseновостьдискретные полупроводникиLVDSEthernetESDIEC 61000-4-2LittelfuseзащитаIEC 61000-4-5TVS-сборки10GbEIEC 61000-4-4