Новые мощные MOSFET-транзисторы OptiMOS в корпусе SuperSO8
позавчера
Компания Infineon представила расширение линейки OptiMOS 3 и 5 — мощные MOSFET-транзисторы в корпусе SuperSO8, наилучшие в своем классе. Их характеризуют высокая выходная мощность, большая надежность и малый уровень сопротивления открытого канала ...
MAX40203 – супердиод из линейки Maxim nanoPower
23 марта
При разработке устройств, в которых основное питание может дублироваться батареей, возникает необходимость ограничить протекание обратных токов. Самым простым и распространенным решением этой проблемы является установка диода. Минусы такого решени...
Новые MOSFET-транзисторы линейки StrongIRFET в корпусе TO-247 и рабочим напряжением 100-150 В
20 марта
Компания Infineon представила новые транзисторы IRF100P218, IRF100P219, IRF150P220, IRF150P221 в корпусе TO-247 и с рабочим напряжением от 100 В до 150 В, входящие в линейку StrongIRFET. Транзисторы рассчитаны на работу в приложениях с высоким эне...
Как избежать отказа силовой электроники: диаграммы энергетических и термических циклов
17 марта
В технической инструкции компании Infineon рассматриваются практические примеры расчета наработки на отказ модулей IGBT с учетом энергетических и термических циклических нагрузок.
В приложениях силовой электроники комбинации различных тепловых и с...
Оптимизация на субмикронном уровне: новое поколение IGBT на напряжение 1200 В с микрошаблонными канавками
27 февраля
Кристиан Джагер, Александр Филиппов, Антонио Веллей, Йоханес Дж. Лавен, Андреас Хертл (Infineon Technologies)
Технология микрошаблонных канавок MPT-IGBT оптимизирована для применения в электроприводе, и на ней основано новое поколение транзисторов...
Низкоемкостные TVS-сборки SP3384NUTG от Littelfuse для защиты 10Gb Ethernet
13 февраля
Littelfuse выпустил новые низкоемкостные TVS-сборки SP3384NUTG с рабочим напряжением 3,3 В, предназначенные для защиты интерфейсных линий в приложениях 10 Gigabit Ethernet (GbE).
Данные TVS-сборки обеспечивают защиту высокоскоростных интерфейсов о...
Новая линейка 600 В CoolMOS транзисторов P7 от Infineon
3 февраля
600-вольтовые super-junction MOSFET CoolMOS P7 являются преемниками серии 600 В CoolMOS P6. Данные транзисторы наследуют тот же принцип высокой эффективности при простоте использования. Транзисторы этой линейки имеют лучшие в своем классе показате...
Уменьшение стоимости инверторов мощностью более 75 кВт путем интеграции токоизмерительных шунтов в силовые модули
27 декабря 2019
Клаус Фогель, Майкл Гадерманн, Андреас Шмаль, Кристоф Урбан (Infineon Technologies)
Компания Infineon при использовании силовых модулей со встроенными токоизмерительными резисторами вместо датчиков Холла в инверторах мощностью более 75 кВт добилас...
Лучшие в своем классе: силовые модули EconoDUAL 3 с IGBT7
12 декабря 2019
Клаус Фогель, Ян Баурихтер, Оливер Лензе, Ульрих Нольтен, Александер Филлипоу, Филипп Росс, Андреас Шмаль, Кристоф Урбан (Infineon Technologies)
В статье рассмотрены технические особенности новых силовых модулей EconoDUAL™ 3 производства I...