Новые биполярные транзисторы SUNCO с малым напряжением насыщения
6 декабря 2023
управление питаниемуниверсальное применениеSUNCOновостьдискретные полупроводникибиполярный транзисторPNPNPNмалое напряжение насыщения
SUNCO – один из ведущих производителей полупроводников в КНР. Недавно компания анонсировала выпуск биполярных транзисторов с малым напряжением насыщения «коллектор-эмиттер». В настоящее время транзисторы производятся в двух вариантах корпусов (рисунок 1) с соответствующим значением рассеиваемой мощности: SOT-89 мощностью 0,5 Вт (таблица 1) и SOT-223 мощностью 1 Вт (таблица 2).
Особенности новых транзисторов:
- имеют различные варианты корпусирования: SOT-23, SOT-89, SOT-223 и так далее;
- идеально подходят для стандартных низковольтных применений, требующих высокой скорости коммутации;
- устойчивы к разрядам статического электричества;
- обладают высокой эффективностью и имеют малое время переходных процессов, что снижают потери и выделение тепла;
- подходят для применений, требующих низкого уровня электромагнитных помех;
- соответствуют стандартам MSL1 и ROHS
Рис. 1. Внешний вид и назначение выводов корпусов SOT-89 и SOT-223
Таблица 1. Новые биполярные транзисторы SUNCO мощностью 500 мВт в корпусе SOT-89
| Наименование | Полярность | Ток коллектора IC, А | Максимальное напряжение, В | Минимальный коэффициент усиления h21э при VCE/IC | Напряжение насыщения VCE(sat), В, при IC/IB, А | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCEO | VCBO | VEBO | |||||
| PBSS4350X | NPN | 3 | 50 | 5 | 300 при 2 В/1 А | 0,37 при 3/0,3 | |
| PBSS5240X | PNP | -2 | -40 | -5 | 215 при -5 В/-0,5 А | -0,63 при -2/-0,2 | |
| PBSS5330X | PNP | -3 | -30 | -6 | 175 при -2 В/-1 А | -0,32 при -3/-0,3 | |
| PBSS5350X | PNP | -3 | -50 | -5 | 200 при -2 В/-1 А | -0,39 при -3/0,3 | |
Таблица 2. Новые биполярные транзисторы SUNCO мощностью 1 Вт в корпусе SOT-223
| Наименование | Полярность | Ток коллектора IC, А | Максимальное напряжение, В | Минимальный коэффициент усиления h21э при VCE/IC | Напряжение насыщения VCE(sat), В, при IC/IB, А | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCEO | VCBO | VEBO | |||||
| PBSS4350Z | NPN | 3 | 50 | 5 | 200 при 2 В/1 А | 0,29 при 2/0,2 | |
| PBSS304NZ | NPN | 5,2 | 60 | 5 | 300 при 2 В/1 А | 0,28 при 5,2/0,26 | |
| PBSS304PZ | PNP | -4,5 | -60 | -5 | 200 при -2 В/-1 | -0,375 при -4,5/-0,225 | |
| PBSS5350Z | PNP | -3 | -50 | -5 | 200 при -2 В/-1 А | -0,3 при -2/-0,2 | |
| PBHV9414Z | PNP | -4 | -140 | -180 | -7 | 100 при -5 В/-1 А | -0,55 при -4/-0,4 |
•••
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd (Yangjie) основан в Китае в 2000 году и за 2 десятилетия стал одним из ведущих национальных производителей дискретных полупроводников. Штаб-квартира находится в Янчжоу, провинция Цзянсу. YJ работает по IDM-модели (Integrated Device Manufacturer), объединяя полный цикл – от проектирования кристаллов до сборки и тестирования готовых изделий. Компания специализируется на решениях в области силовой электроники, соответствующих современным отраслевым тр ...читать далее
Наши информационные каналы