Эффективность, надежность и доступность – ключевые преимущества современных компонентов на базе карбида кремния (SiC), которые уже сегодня доступны со склада КОМПЭЛ. Они находят широкое применение в электромобилях, зарядных станциях, промышленных ...
В последние годы SiC MOSFET приобретают все большую популярность, вызывая вопрос: вытеснят ли они традиционные и хорошо знакомые IGBT. Транзисторы, выполненные по обеим технологиям, уже почти в равной степени применяются в качестве ключевых элемен...
Современная силовая электроника все активнее переходит на компоненты, выполненные на основе карбида кремния. Одним из наиболее заметных примеров стали SiC-диоды Шоттки, которые все чаще рассматриваются как альтернатива проверенным временем кремние...
Компоненты SUNCO идеально подходят для создания мощных индустриальных источников питания, в том числе – работающих в сложных температурных условиях. Компания предлагает двунаправленные супрессоры для входных цепей, диоды для выпрямительных мостов,...
3 декабря состоялся вебинар, посвященный силовым модулям ведущего китайского производителя SUNCO. Эта компания на рынке – уже более 20 лет и по праву является одним из мировых лидеров по производству дискретных полупроводниковых компонентов.
На ве...
Константин Кузьминов (г. Заполярный)
Для коммутирования как слаботочных сигналов, так и силовых цепей необходима надежная работа качественных электромеханических и полупроводниковые реле, например, выпускаемых компанией Hongfa. Подобрать оптимальн...
Константин Кузьминов (г. Заполярный)
Для создания эффективной и современной системы защиты от ЭСР компания SUNCO предлагает надежные и качественные супрессоры, представляющие собой TVS- и ESD-диоды, а также сборки на их основе.
Всплески перенапряж...
Кремниевые транзисторы MOSFET продолжают оставаться основой силовой электроники. Причины – хорошо отработанная технология, низкая цена, простота схем управления. Для того, чтобы повысить максимально допустимое напряжение между стоком и истоком, пр...
Китайская компания SUNCO начала выпуск новых MOSFET-транзисторов на основе карбида кремния в корпусе TOLL (таблица 1). Этот корпус рассчитан на большие токи до 300 А, а его выводы обладают низкой паразитной индуктивностью. Ее значения у TOLL гораз...
Компания SUNCO (Китай) представила новый дискретный IGBT-транзистор DGW50N120CTL1J в корпусе TO-247 (рисунок 1). Его номинальное значение тока составляет 50 А, а напряжение пробоя – 1200 В. Важным преимуществом транзистора является наличие в нем о...