AD-CJAB35N03S
Www.jscj-elec.com
AD-CJAB35N03S
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.
AD-CJAB35N03S Plastic-Encapsulated MOSFET
AD-CJAB35N03S N-Channel Power MOSFET
V(BR)DSS
30V
RDS(on), typ
5.2mΩ @ 10V
7.5mΩ @ 4.5V
ID
35A
DESCRIPTION
The AD-CJAB35N03S uses advanced trench technology and design
to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used
in a wide variety of application...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFNWB3.3×3.3-8L
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | PDFNWB3.3×3.3-8L | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 25
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | YJD50N03A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | ||||||||||||
A+ | YJG50N03B (YJ) | — | — | — | |||||||||||||
A+ | YJG60N04A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | CJAB35N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMB52N03T2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMQ55N04T1 (WAYON) | PDFN8L3X3 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMQ050N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMQ040N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | 1 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | YJQ60N03A (YJ) | DFN30308 | 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJQ50N03B (YJ) | — | — | — | |||||||||||||
A+ | YJQ35N04A (YJ) | — | 20 шт | — | |||||||||||||
A+ | YJG60G04HHQ (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 30 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | YJG40N03A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJD60N04A (YJ) | TO252 | в ленте 5000 шт | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | ||||||||||||
A+ | YJG50N03A (YJ) | PDFN8L5X6 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | |||||||||||||
A+ | NCE065N30K (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB70N04T1 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB042DN03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB040N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMQ40N03T1 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMQ032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMO70N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMK70N03T1 (WAYON) | TO-220-3 | в коробках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJQ50N03A (YJ) | DFN83X3 | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | CJAB35N03S (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.