Серия биполярных транзисторов BC817

Общие характеристики

	Раздел	Биполярный транзистор
	Корпус	SOT-23-3
	Тип проводимости и конфигурация
	Рассеиваемая мощность
	Напряжение КЭ максимальное
	Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
	Ток коллектора
	Коэффициент усиления по току

Документация на серию BC817

UTC BC817 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER DESCRIPTION The UTC BC817 is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.2A. Sourced from Process 38. 2 1 3 SOT-23 1: EMITTER 2: BASE 3: COLLECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C, unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Collector-Emitter Voltage VCEO 45 V Collector-Base Voltage VCES 50 V Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 V Collector Current -Continuous Ic 1.5 A Operating and Storage Junction Temperature Range Tj,Tstg -55 to +150 °C Note 1: These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired. Note 2: These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C. Note 3: These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations. THERMAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise noted) CHARACTERISTIC SYMBOL MAX (note) Total Device Dissipation PD Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient RθJA Note: Device mounted on FR-4 PCB 40mm×40mm×1.5mm. UNIT mW mW/°C °C/W 350 2.8 357 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise noted) PARAMETER OFF CHARACTERISTICS Collector-Emitter Breakdown Voltage Collector-Base Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Collector-Cutoff Current UTC SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CES V(BR)EBO ICBO TEST CONDITIONS Ic=10mA, IB=0 IC=100µA,IE=0 IE=10µA, Ic=0 VCB=20V VCB=20V,TA=150°C UNISONIC TECHNOLOGIES MIN MAX UNIT 100 5.0 V V V nA µA 45 50 5.0 CO. LTD 1 QW-R206-025,A  PDF

Документация на BC817-40 

Microsoft Word - BC817_SOT23.DOC

Дата модификации: 11.12.2004

Размер: 125.4 Кб

3 стр.

• найти BC817.pdf

Товары серии BC817

BC817 публикации

01 декабря

новость

Дискретные полупроводниковые решения от азиатских производителей для любых задач

Владислав Долгов (КОМПЭЛ) Дискретные компоненты – основа любой схемотехники. От правильно подобранных диодов, транзисторов и стабилитронов может зависеть надежность и эффективность всей системы. Сегодня рынок предлагает большой выбор дискретов,... ...читать

11 ноября 2024

новость

Компоненты JSCJ для задних автомобильных фонарей

В современном автотранспорте передние фары не всегда бывают светодиодными, но задние, как правило, выполнены с применением LED, что позволяет повысить их надежность. Кроме того, задние светодиодные фонари дают больше возможностей в сфере дизайна.... ...читать

11 октября 2024

статья

Реализация узла управления реле на базе компонентов SUNCO

Константин Кузьминов (г. Заполярный) Для коммутирования как слаботочных сигналов, так и силовых цепей необходима надежная работа качественных электромеханических и полупроводниковые реле, например, выпускаемых компанией Hongfa. Подобрать... ...читать

16 июля 2024

статья

Yangjie – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания Yangjie осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике,... ...читать

30 января 2024

новость

Широкий ассортимент дискретных компонентов JSCJ поступил на склад КОМПЭЛ

Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из крупнейших китайских разработчиков и производителей полупроводников. Компания самостоятельно разрабатывает и выпускает полупроводниковые пластины для большей части номенклатуры, благодаря... ...читать