BC817-40

Транзистор биполярный; NPN; 45 В; 1.5 А; 310 мВт; h21 250…600; SOT-23-3 Корпус: SOT-23-3; Конфигурация: NPN; Рассеиваемая мощность: 310 мВт; Напряжение КЭ макc.: 45 В; Ток коллектора: 1.5 А; Коэффициент усиления по току h21: 250...600
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 28

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
PA BC817 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P+ BC817-40 (YJ)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC337-40 (DC)
 
TO-92-3 1000 шт
 
P= BC817-40 (JSCJ)
 

BC817 (JSCJ)
 
P= BC817 (SHIKUES)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC817G-40-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC337 (JSCJ)
 

BC337 (ONS-FAIR)
TO-92-3 2000 шт
 
P= BC817-16 (DC)
 
TO236 в ленте 3000 шт
 
P= LBC817-40LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC817-16 (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC817-40Q (YJ)
 
SOT-23-3
 
P= BC817-25 (SHIKUES)
 
SOT-23-3
 
P= BC817-25 (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC856B (JSCJ)
 
 
P= BC817-40 (SHIKUES)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3
 
P= BC817-16 (JSCJ)
 
 
P= BC856B (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC817-25 (JSCJ)
 
 
P= BC817-25Q (YJ)
 
127 шт
 
P= BC856A (JSCJ)
 

BC856A (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC856B (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC856BW (SHIKUES)
 
SOT-323-3
 
P= BC856 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC856B (SHIKUES)
 
SOT-23-3
 
P= BC856BW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC856W (JSCJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
P= BCX19 (JSCJ)
 

BCX19 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
UTC BC817 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER DESCRIPTION The UTC BC817 is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.2A. Sourced from Process 38. 2 1 3 SOT-23 1: EMITTER 2: BASE 3: COLLECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C, unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Collector-Emitter Voltage VCEO 45 V Collector-Base Voltage VCES 50 V Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 V Collector Current -Continuous Ic 1.5 A Operating and Storage Junction Temperature Range Tj,Tstg -55 to +150 °C Note 1: These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired. Note 2: These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C. Note 3: These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations. THERMAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise noted) CHARACTERISTIC SYMBOL MAX (note) Total Device Dissipation PD Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient RθJA Note: Device mounted on FR-4 PCB 40mm×40mm×1.5mm. UNIT mW mW/°C °C/W 350 2.8 357 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise noted) PARAMETER OFF CHARACTERISTICS Collector-Emitter Breakdown Voltage Collector-Base Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Collector-Cutoff Current UTC SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CES V(BR)EBO ICBO TEST CONDITIONS Ic=10mA, IB=0 IC=100µA,IE=0 IE=10µA, Ic=0 VCB=20V VCB=20V,TA=150°C UNISONIC TECHNOLOGIES MIN MAX UNIT 100 5.0 V V V nA µA 45 50 5.0 CO. LTD 1 QW-R206-025,A PDF
Документация на BC817-40 

Microsoft Word - BC817_SOT23.DOC

Дата модификации: 11.12.2004

Размер: 125.4 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.