AS1M160120P
AS1M160120P
N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET
Product Summary
V(BR)DSS
RDS(on)MAX
ID@25℃
1200V
196mΩ@20V
18A
Feature
Application
High Blocking Voltage With Low On-Resistance
Power Supplies
High Speed Switching With Low Capacitance
Switch Mode Power Supplies
Easy to Parallel and Simple to Drive
High Voltage DC/DC Converters
Motor Drivers
Pulsed Power ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO2473
- Норма упаковки: 30 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO2473 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Особенности |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на AS1M160120P
Microsoft Word - AS1M160120P
Дата модификации: 12.07.2022
Размер: 1.16 Мб
6 стр.
Публикации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.