AS1M160120P

AS1M160120P N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET Product Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID@25℃ 1200V 196mΩ@20V 18A Feature Application  High Blocking Voltage With Low On-Resistance  Power Supplies  High Speed Switching With Low Capacitance  Switch Mode Power Supplies  Easy to Parallel and Simple to Drive  High Voltage DC/DC Converters  Motor Drivers  Pulsed Power ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2473
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= YJD2120240NCTGH (YJ)
 
TO-247-3
 

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 1

показать свернуть
08 июля
новость

На склад КОМПЭЛ поступили SiC-MOSFET производства ATS и Anbon

Карбид кремния как материал, обладающий полупроводниковыми свойствами, известен более века, но его массовое применение в полупроводниковых приборах началось относительно недавно благодаря усовершенствованию и удешевлению технологии производства.... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.