BAT54X

Anbon
Диод выпрямительный на напряжение до 30 В, ток до 600 мА, с падением напряжения 1 В, ёмкостью перехода 10 пФ, производства Anbon (ANBON)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD-523
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 32

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= RB521S-30 (SHIKUES)
 
SOD-523
 
 — — — — — — —
P= BAT54 (DC)
 

BAT54 (ONS-FAIR) 		TO236 в ленте 3000 шт
 
 — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= BAT54 (SHIKUES)
 

BAT54 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — — — —
P= LBAT54LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 2580 шт
 
 — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= BAT54 (JSCJ)
 

BAT54 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM)
P= BAT54 (ANBON)
 

BAT54 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — — —
P= LBAT54XV2T1G (LRC)
 
SOD-523 1 шт
 
 — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= BAT54 (YJ)
 

BAT54 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= BAT54X (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — —
P= RB520S-30 (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 112000 шт — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM)
P= BAT54XV2 (SHIKUES)
 

BAT54XV2 (ONS-FAIR) 		SOD-523 3000 шт
 
 — — — — — — —
P= BAT54W (YJ)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= SD103AWS (ANBON)
 
SOD323
 
 — — — — —
P= LBAT40HT1G (LRC)
 
SOD323
 
 — — — — —
P= BAT54H (YJ)
 
— в ленте 9000 шт
 
 — — — — — — — — — — —
P= B0530W (SHIKUES)
 
SOD123
 
 — — — — — —
P= BAT54W SOD-123 (JSCJ)
 
SOD123 в ленте 90000 шт —
P= LMSD103BT1G (LRC)
 
SOD123
 
 — — — — —
P= BAT42WS (SHIKUES)
 
SOD323
 
 — — — — — —
P= BAT42WS (ANBON)
 
SOD323
 
 — — — — —
P= LBAT54HT1G (LRC)
 
SOD323 1000 шт — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= SD106WS (JSCJ)
 
SOD323 в ленте 20 шт
 
 — — —
P= BAS40 (JSCJ)
 

BAS40 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P= BAT54WS (SHIKUES)
 
SOD323
 
 — — — — — —
P= SD103AX (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — —
P= RB520S-40 (YJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — — — —
P= LRB520S-40T1G (LRC)
 
SOD-523
 
 — — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon
P= RB521S-30 (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM)
P= RB520S-40 (ANBON)
 
SOD-523 — — — — —
P= BAT54XV2 (YJ)
 

BAT54XV2 (ONS-FAIR) 		SOD-523 8000 шт — —
P= RB520S-30 (YJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= RB521S-30 (ANBON)
 
SOD-523 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
BAT54X 200mA Surface Mount Small Signal Schottky Diodes-30V Package outline Features • Low current rectification and high speed switching • Small surface mount type • Up to 200mA current capability • Low forward voltage drop (0.35V typ. @I F =10mA) • Silicon epitaxial planar chip, metal silicon junction • High speed ( trr < 5 ns ) • Lead-free parts meet RoHS requirments • Compliant to Halogen-free 0.016 (0.40) 0.009(0.25) 0.035(0.90) 0.028(0.70) SOD-523 0.051(1.30) 0.043(1.10) 0.028(0.70) 0.020(0.50) 0.008(0.20) 0.002(0.05) Mechanical data • Epoxy:UL94-V0 rated flame retardant • Case : Molded plastic, SOD-523 • Terminals : Solder plated, solderable per 0.067(1.70) 0.059(1.50) MIL-STD-750, Method 2026 • Polarity : Indicated by cathode band • Mounting Position : Any Dimensions in inches and (millimeters) Maximum ratings (AT T =25 C unless otherwise noted) o A PARAMETER CONDITIONS Symbol MIN. TYP. MAX. UNIT Repetitive peak reverse voltage V RRM 30 Reverse voltage VR 30 V Repetitive peak forward current I FRM 300 mA I FSM 600 mA IF 200 mA Non-repetitive peak forward current t < 1.0 s Forward current Power dissipation Mounted on FR-5 board at T A =25°C PD Thermal resistance Junction to ambient R θJA V 200 mW °C/W 635 Operating junction temperature range TJ -55 +125 o C Storage temperature range T STG -55 +125 o C Electrical characteristics (AT T =25 C unless otherwise noted) o A PARAMETER Forward voltage CONDITIONS Symbol I F = 0.1 mA VF I F = 1 mA VF I F = 10 mA VF I F = 30 mA VF MIN. TYP. MAX. UNIT 0.220 0.240 V 0.290 0.320 V 0.350 0.400 V 0.410 0.500 V I F = 100 mA VF 0.520 1.000 V Reverse current V R = 25 V IR 0.5 2.0 uA Total capacitance V R = 1 V, f = 1MHz CT 10.0 pF Reverse recovery time I F = I R = 10 mAdc, I R(REC) = 1.0 mAdc trr 5.0 ns http://www.anbonsemi.com TEL:+86-755-23776891 FAX:+86-755-81482182 Page 1 AS-3160012 2020/05/08 F PDF
Документация на BAT54X 

BAT54X

Дата модификации: 14.08.2018

Размер: 938.6 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)