ATSCM30G65W

ATS
ATSCM30G65W Silicon Carbide Power MOSFET Product Summary Chip Type ATSCM30G65W VDS ID 650V 70A Features • • • • • • • Package TO-247-4 Benefits High Blocking Voltage High Frequency Operation Low on-resistance Fast intrinsic diode with low reverse recovery 100% avalanche tested Applications • RDS(ON) 30mΩ Motor Drives Solar Inverters Onboard EV Charger • • • • • Higher system eff...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2474
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Рассеиваемая мощность
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= ASZM025065P (ANBON)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — — —
P= YJD206520NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
ATSCM30G65W Silicon Carbide Power MOSFET Product Summary Chip Type ATSCM30G65W VDS ID 650V 70A Features • • • • • • • Package TO-247-4 Benefits High Blocking Voltage High Frequency Operation Low on-resistance Fast intrinsic diode with low reverse recovery 100% avalanche tested Applications • RDS(ON) 30mΩ Motor Drives Solar Inverters Onboard EV Charger • • • • • Higher system efficiency Parallel device convenience without thermal runaway High Temperature Application Hard switching & higher Reliability Easy to drive. • • • AC/DC converters DC/DC converters Uninterruptable power supplies Maximum Ratings (TC=25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Drain - Source Voltage VDSmax Gate - Source Voltage (dynamic) VGSmax Tsurge <100ns Gate - Source Voltage (static) VGSop static Continuous Drain Current ID VGS = 15V, TC=25°C, VGS = 15V, TC=100°C, Pulsed Drain Current ID(pulse) TC=25°C, Avalanche Energy EAS VDD = 100V, VGS=15V, L=1mH Avalanche Peak Current IAV Total power dissipation PD TC=25°C, Operating Junction Temperature TJ Storage Temperature TSTG ATSCM30G65W Objective data sheet support@at-semi.com Value 650 -8 / +19 -4 / +15 70 49 217 450 30 246 -55 to 175 -55 to 175 Unit V V V A A mJ A W °C °C AT ELECTRONICS HONGKONG LIMITED 2023 ALL RIGHTS RESERVED 1 / 9 PDF
Документация на ATSCM30G65W 

Datasheet

Дата модификации: 18.03.2024

Размер: 2.35 Мб

9 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    22 июля 2025
    статья

    Эффективные решения на базе SiC: новые возможности для российской электроники

    Владислав Долгов (КОМПЭЛ) Применение карбид–кремниевых компонентов позволяет повысить КПД, сократить габариты и увеличить надежность силовых устройств. Китайские компании предлагают SiC–компоненты, сопоставимые по характеристикам с... ...читать

    27 июня 2025
    новость

    SiC-компоненты от ведущих китайских производителей

    Эффективность, надежность и доступность – ключевые преимущества современных компонентов на базе карбида кремния (SiC), которые уже сегодня доступны со склада КОМПЭЛ. Они находят широкое применение в электромобилях, зарядных станциях, промышленных... ...читать

    08 июля 2024
    новость

    На склад КОМПЭЛ поступили SiC-MOSFET производства ATS и Anbon

    Карбид кремния как материал, обладающий полупроводниковыми свойствами, известен более века, но его массовое применение в полупроводниковых приборах началось относительно недавно благодаря усовершенствованию и удешевлению технологии производства.... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)