ATSCM45G65W

ATSCM45G65W Silicon Carbide Power MOSFET Product Summary Chip Type ATSCM45G65W VDS ID 650V 51A Features • • • • • • • Package TO-247-4 Benefits High Blocking Voltage High Frequency Operation Low on-resistance Fast intrinsic diode with low reverse recovery 100% avalanche tested Applications • RDS(ON) 45mΩ Motor Drives Solar Inverters Onboard EV Charger • • • • • Higher system eff...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2474
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ ATSCM30G65W (ATELECT)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
A+ CRJQ41N65G2BF (CRMICRO)
 
TO-247-3
 
A+ CRJQ33N65G2F (CRMICRO)
 
TO-247-3
 
A+ YJD206550NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
A+ YJD206550NCFGH (YJ)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
A+ CRJQ60N65G2BF (CRMICRO)
 
TO-247-3
 

Файлы 1

показать свернуть

    Публикации 1

    показать свернуть
    08 июля
    новость

    На склад КОМПЭЛ поступили SiC-MOSFET производства ATS и Anbon

    Карбид кремния как материал, обладающий полупроводниковыми свойствами, известен более века, но его массовое применение в полупроводниковых приборах началось относительно недавно благодаря усовершенствованию и удешевлению технологии производства.... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.