CRJS99N65G2

CRJS99N65G2 SJMOS N-MOSFET 650V, 81mΩ, 32A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • CRM(CQ) Super_Junction technology • Much lower Ron*A performance for On-state efficiency VDS,min 650V • Better efficiency due to very low FOM RDS(on),typ 81mΩ • Qualified for industrial grade applications according to JEDEC ID 32A Applications • LED/LCD/PDP TV and monitor Lighting 100% DV...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMM28N60C4 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
P- NCE65TF099D (NCE)
 
TO263
 
A+ NCE65NF068T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A+ YJD206550NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
A+ YJD206550NCFGH (YJ)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
A+ ATSCM45G65W (ATELECT)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
A+ ASZM060065P (ANBON)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на CRJS99N65G2 

CRJS99N65G2 Datasheet V1.0B.xlsx

Дата модификации: 25.07.2023

Размер: 1.37 Мб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.