CRNT080C65

CRNT080C65 650V GaN Power Transistor (FET) VGS 8V@65mΩ,25℃ Features • • • • • Product Summary Easy to use, compatible with standard gate drivers Low Qrr, no free-wheeling diode required Excellent Qg x RDS(on) product (FOM) Low switching loss RoHS compliant and Halogen-free VDSS 650 V 65 mΩ QG, typ 22 nC QRR, typ 95 nC RDS(on), typ Applications • • • • Industrial Telecom and da...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2203L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ NCE65NF068T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A+ ATSCM45G65W (ATELECT)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
A+ ASZM060065P (ANBON)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
A+ YJD206550NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
A+ YJD206550NCFGH (YJ)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.