CRTS029N06N

CR Micro
CRTS029N06N Trench N-MOSFET 60V, 1.9mΩ, 160A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced Trench technology VDS 60V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 1.9mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 160A • Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested • Motor control and drive • Battery managem...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSH0601ATL-13 (JIEJIE)
 
PGHSOF8 в ленте 2000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0601BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0601ATLQ-13 (JIEJIE)
 
— 2000 шт
 
 — — — —
A+ CRSP027N10NZ (CRMICRO)
 
TO-247-3 2000 шт — — —
A+ CRSQ024N08N (CRMICRO)
 
TO-247-3 — — —

Файлы 1

показать свернуть
CRTS029N06N Trench N-MOSFET 60V, 1.9mΩ, 160A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced Trench technology VDS 60V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 1.9mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 160A • Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested • Motor control and drive • Battery management • UPS (Uninterrupible Power Supplies) Package Marking and Ordering Information Part # Marking Package CRTS029N06N CRTS029N06N TO-263 Packing Reel Reel Size Tape Width Qty N/A N/A 1000pcs Symbol Value Unit VDS 60 V Absolute Maximum Ratings Parameter Drain-source voltage Continuous drain current TC = 25°C (Silicon limit) TC = 25°C (Package limit) ID TC = 100°C (Silicon limit) Pulsed drain current (TC = 25°C, tp limited by Tjmax) 245 160 A 155 ID pulse 640 A Avalanche energy, single pulse (L=0.5mH, Rg=50Ω) EAS 625 mJ Gate-Source voltage VGS ±25 V Power dissipation (TC = 25°C) Ptot 254 W Tj , T stg -55...+150 °C Tsold 260 °C Operating junction and storage temperature Soldering temperature, wave soldering only allowed at leads (1.6mm from case for 10s) ©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited Page 1 PDF
Документация на CRTS029N06N 

CRTS029N06N Keywords:

Дата модификации: 16.08.2019

Размер: 494.8 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)