CRTT020N04N
CRTT020N04N
Trench N-MOSFET 40V, 1.6mΩ, 195A
华润微电子(重庆)有限公司
Features
Product Summary
• Uses CRM(CQ) advanced Trench technology
VDS
40V
• Extremely low on-resistance RDS(on)
RDS(on) typ.
1.6mΩ
• Excellent QgxRDS(on) product(FOM)
ID
195A
• Qualified according to JEDEC criteria
100% DVDS Tested
Applications
100% Avalanche Tested
• Motor control and drive
• Battery managem...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO-220-3
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO-220-3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Ёмкость затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | IRFB7430PBF-VB (VBSEMI) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
| P- | NCE40H21 (NCE) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| P- | YJP180G04C (YJ) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | JMSL0401BGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CRTT020N04N
CRTT020N04N Keywords:
Дата модификации: 16.09.2019
Размер: 562.5 Кб
9 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.