CRTT020N04N

CR Micro
CRTT020N04N Trench N-MOSFET 40V, 1.6mΩ, 195A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced Trench technology VDS 40V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 1.6mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 195A • Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested • Motor control and drive • Battery managem...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSH0401ATSQ-13 (JIEJIE)
 
— 2000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0401BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH040SAGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ NCE40H30D (NCE)
 
TO263 12 шт
 
 ± — — — —
A+ NCEP40T35ALL (NCE)
 
— 15 шт
 
 ± — — —
A+ HGP018N04A (CRMICRO)
 
TO220AB 1000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
CRTT020N04N Trench N-MOSFET 40V, 1.6mΩ, 195A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced Trench technology VDS 40V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 1.6mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 195A • Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested • Motor control and drive • Battery management • UPS (Uninterrupible Power Supplies) Package Marking and Ordering Information Part # Marking Package CRTT020N04N CRTT020N04N TO-220 Packing Tube Reel Size Tape Width Qty N/A N/A 50pcs Symbol Value Unit VDS 40 V Absolute Maximum Ratings Parameter Drain-source voltage Continuous drain current TC = 25°C (Silicon limit) TC = 25°C (Package limit) ID TC = 100°C (Silicon limit) Pulsed drain current (TC = 25°C, tp limited by Tjmax) 285 195 A 201 ID pulse 780 A Avalanche energy, single pulse (L=0.5mH, Rg=25Ω) EAS 650 mJ Gate-Source voltage VGS ±25 V Power dissipation (TC = 25°C) Ptot 284 W Tj , T stg -55...+175 °C Tsold 260 °C Operating junction and storage temperature Soldering temperature, wave soldering only allowed at leads (1.6mm from case for 10s) ©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited Page 1 PDF
Документация на CRTT020N04N 

CRTT020N04N Keywords:

Дата модификации: 16.09.2019

Размер: 562.5 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)