CS6N80ARR-G
Silicon
N-Channel
Power MOSFET
R
○
CS6N80 ARR-G
General Description:
CS6N80 ARR-G, the silicon N-channel Enhanced
VDSS
800
V
6
A
ID
VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology
PD(TC=25℃)
180
W
which reduce the conduction loss, improve switching
RDS(ON)Typ
1.8
Ω
performance and enhance the avalanche energy. The transistor
can be used in various power switchin...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO-262-3
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO-262-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | WMO90R500S (WAYON) | TO252 | в коробках 1000 шт | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CS6N80ARR-G
CS6N80%20ARR-G[1].DOC
Дата модификации: 09.07.2019
Размер: 355.6 Кб
10 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.