WMO90R500S

WAYON
WML L90R500S, WMO90R R500S, WM MK90R500 0S WMN N90R500S,, WMM90R R500S, WM MJ90R500 0S 900V 0.41Ω Super S Ju unction Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM S is Wayyon’s new generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low gate g charge e performan nce. WMOS S S is G D S G D S TO-22 20F suitable ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ AS1M160120D (ANBON)
 
TO2522
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WML L90R500S, WMO90R R500S, WM MK90R500 0S WMN N90R500S,, WMM90R R500S, WM MJ90R500 0S 900V 0.41Ω Super S Ju unction Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM S is Wayyon’s new generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low gate g charge e performan nce. WMOS S S is G D S G D S TO-22 20F suitable fo or applicattions which h require superior TO O-262 D Features D S S G G TO-26 63 VDS =9 950V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =0.41Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S TO-220 T power density and outstanding efficiency.  D G G S D TO O-247 TO-252 T R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage WMK K/WMM/WMN/W WMJ/WMO WML Unit VDSSS 900 V ID 10 A 6 A IDM M 40 A VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse EAS A 150 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 0.2 mJ 2) Avalanche current, c repetiitive IARR 2.5 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) Gate-source e voltage 3) - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current1) Diode pulse e current 2) 138 31 W 1.1 0.25 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 10 A IS,puulse 40 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WMK K/WMM/WMN/W WMJ/WMO WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 0.9 4 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.2.0, 2021 Doc.W08 890027 1 / 13 PDF
Документация на серию WMx90R500S 

Microsoft Word - WMx90R500S W0890027 V2.0

Дата модификации: 24.10.2022

Размер: 675.3 Кб

13 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)