HGE055NE4A

CR Micro
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ HGE055NE4A General Description ： VDSS 45 V ID 18 A VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench technology P D(Ta=25℃) 3.1 W which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON) Typ@Vgs=10V 4.4 mΩ performance and enhance the avalanche energy. The transistor RDS(ON) Typ@Vgs=4.5V 6.5 mΩ HGE055NE4A, the silicon N-channel Enhanced...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ LN7460DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ LN7462DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 — — — — — —
A+ LN7506DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ LNB85042DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ HGE055NE4A General Description ： VDSS 45 V ID 18 A VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench technology P D(Ta=25℃) 3.1 W which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON) Typ@Vgs=10V 4.4 mΩ performance and enhance the avalanche energy. The transistor RDS(ON) Typ@Vgs=4.5V 6.5 mΩ HGE055NE4A, the silicon N-channel Enhanced can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is SOP8, which accords with the RoHS standard. Features：  Fast Switching  Low ON Resistance(Rdson≤5.5mΩ)  Low Gate Charge  Low Reverse transfer capacitances  100% Single Pulse avalanche energy Test Applications：  Power switch circuit of adaptor and charger.  Synchronus Rectification in DC/DC Converters Absolute（Ta= 25℃ unless otherwise specified）： Symbol Parameter VDSS ID Rating Units Drain-to-Source Voltage 45 V Continuous Drain Current 18 A 11.9 A 72 A Gate-to-Source Voltage ±18 V Single Pulse Avalanche Energy 115.5 mJ 3.1 W 150，–55 to 150 ℃ Continuous Drain Current TC = 100 °C a1 IDM VGS EAS a2 Pulsed Drain Current PD Power Dissipation TJ，Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . P ag e 1 of 10 2 0 1 9 V0 1 PDF
Документация на HGE055NE4A 

Дата модификации: 23.05.2019

Размер: 673.3 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)