HGP018N04A

Silicon N-Channel Power MOSFET ® HGP018N04A General Description: VDSS 40 V HGP018N04A, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as A load switch and PWM applications. the package form is TO-220AB, which accord...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220AB
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCE40H21 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
P- YJP180G04C (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- JMTC025N04D (JIEJIE)
 
TO2203L 50 шт
 
P- IRFB7434PBF-VB (VBSEMI)
 
в линейках 50 шт
 
A+ JMSL040SAG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ NCEP40T35ALL (NCE)
 
в ленте 15 шт
 
±
A+ NCE40H30D (NCE)
 
TO263 в ленте 12 шт
 
±
A+ JMSL0401BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSH040SAGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSH0401ATLQ-13 (JIEJIE)
 
2000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на HGP018N04A 

Дата модификации: 23.03.2021

Размер: 1.27 Мб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.