IRFR5305

IRFR5305 -60 V P- Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION The IRFR5305 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES  VDS =- 60V,ID =-30A  RDS(ON) < 40mΩ @ V GS=-10V  RDS(ON) < 55mΩ @ V GS=-4.5V  High Power and current handing capability  Lead free produc...
развернуть ▼ свернуть ▲
  • Группа: FET транзисторы  
  • Истор. имя: IRFR5305 (INFIN)
  • Корпус: TO252
  • Норма упаковки: 2500  шт. (в ленте)

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IRFR5305TRPBF (VBSEMI)
 

IRFR5305TRPBF (INFIN)
в ленте 2500 шт
 
P= IRFR5305TR (YOUTAI)
 

IRFR5305TR (INFIN)
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- JMPL0622AK (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- AUIRFR5305 (JSMICRO)
 

AUIRFR5305 (INFIN)
в ленте 114 шт
 
P- NCE55P30K (NCE)
 
TO252
 
±
P- YJD50GP06A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- CJU55P30 (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.