NCE55P30K

Pb Free Product NCE55P30K http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE55P30K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =-55V,ID =-30A RDS(ON) <40mΩ @ VGS=-10V Schematic diagram ● High density cell design for ultra low Rd...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJU55P30 (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
±
P- YJD50GP06A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- AUIRFR5305 (JSMICRO)
 

AUIRFR5305 (INFIN)
в ленте 114 шт
 
P- IRFR5305 (EVVO)
 

IRFR5305 (INFIN)
TO252 в ленте 2500 шт
P- JMPL0622AK (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на NCE55P30K 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Дата модификации: 30.11.2015

Размер: 365.1 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.