Вход / Регистрация

BC847B

Hottech
Биполярный транзистор общего назначения
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
F~ BC847C (DC)
 

BC847C (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
F~ BC847B (YJ)
 

BC847B (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
F~ LBC847BLT1G (LRC)
 
— 1 шт
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
F~ BC847C (YJ)
 

BC847C (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
F~ BC847A (YJ)
 

BC847A (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
F~ BC847CW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
F~ BC847B (DC)
 

BC847B (DIODES) 		TO236 в ленте 3000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES BC846A/B (NPN) BC847A/B/C (NPN) BC848A/B/C (NPN) For general AF applications High collector current High current gain Low collector-emitter saturation voltage Marking BC846A BC846B 1A 1B BC847C BC848A 1G 1J BC847A 1E BC848B 1K BC847B 1F BC848C 1. BASE 1L 2. EMITTER SOT-23 3. COLLECTO MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit V BC846 VCBO 80 BC847 VCBO 50 BC848 VCBO 30 BC846 VCEO 65 BC847 VCEO 45 BC848 VCEO 30 VEBO 6 V Collector Current -Continuous IC 0.1 A Collector Power Dissipation PC 0.2 W Junction Temperature TJ 150 Storage Temperature Tstg -55 to +150 Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO., LTD V Page:P3-P1 PDF
Документация на BC847B 

Subject:

Дата модификации: 20.10.2023

Размер: 258.3 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    MMBT5401 (YJ)