BC847C

DC COMPONENTS CO., LTD. BC847 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for switching and AF amplifier amplification suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits. SOT-23 .020(0.50) .012(0.30) Pinning 1 = Base 2 = Emitter 3 = Collector 3 .063(1.60) .055(1.40) 1 .108(0.65) .089(0.25) 2 o Absolute Max...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 28

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= BC847BQ (YJ)
 
 
P= BC847C (YOUTAI)
 

BC847C (DIODES)
500 шт
 
P= BC847 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= S9014 SOT-23 (JSCJ)
 
 
P= BC847A (JSCJ)
 

BC847A (DIODES)
SOT-23-3 3000 шт
 
P= BC847C (JSCJ)
 

BC847C (DIODES)
3000 шт
 
P= BC848CW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
P= BC847CQ (YJ)
 
в ленте 5 шт
 
P= BC847B (JSCJ)
 

BC847B (DIODES)
 
P= BC847C (SHIKUES)
 

BC847C (DIODES)
SOT-23-3
 
P= BC846 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC846B (YOUTAI)
 

BC846B (DIODES)
10 шт
 
P= BC846A (SHIKUES)
 
SOT-23-3
 
P= BC846B (SHIKUES)
 

BC846B (DIODES)
SOT-23-3
 
P= BC846B (YJ)
 

BC846B (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC846A (JSCJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
P= BC846BQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
P= BC846B (DC)
 

BC846B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт
 
P= BC846B (JSCJ)
 

BC846B (DIODES)
 
P= BC847B (SHIKUES)
 

BC847B (DIODES)
SOT-23-3
 
P= BC846A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC846AQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
F~ BC847B (DC)
 

BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт
 
F~ BC847CW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
F~ BC847A (YJ)
 

BC847A (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
F~ BC847C (YJ)
 

BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
F~ LBC847BLT1G (LRC)
 
1 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
F~ BC847B (YJ)
 

BC847B (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 

Файлы 2

показать свернуть
DC COMPONENTS CO., LTD. BC847 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for switching and AF amplifier amplification suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits. SOT-23 .020(0.50) .012(0.30) Pinning 1 = Base 2 = Emitter 3 = Collector 3 .063(1.60) .055(1.40) 1 .108(0.65) .089(0.25) 2 o Absolute Maximum Ratings(TA=25 Characteristic C) Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter-Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 100 mA Total Power Dissipation PD 225 mW Junction Temperature TJ +150 o Storage Temperature TSTG -55 to +150 o .091(2.30) .067(1.70) .045(1.15) .034(0.85) .118(3.00) .110(2.80) .0043(0.11) .0035(0.09) .051(1.30) .035(0.90) .026(0.65) .010(0.25) C .004 Max (0.10) .027(0.67) .013(0.32) Dimensions in inches and (millimeters) C Electrical Characteristics o (Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Collector-Base Breakdown Volatge BVCBO 50 - - V Collector-Emitter Breakdown Voltage BVCEO 45 - - V IC=1mA Emitter-Base Breakdown Volatge BVEBO 6 - - V IE=1µA ICBO - - 15 nA VCB=30V Collector Cutoff Current (1) Collector-Emitter Saturation Voltage (1) Base-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage DC Current Gain VCE(sat)1 - 90 250 mV IC=10mA, IB=0.5mA VCE(sat)2 - 200 600 mV IC=100mA, IB=5mA VBE(sat)1 - 700 - mV IC=10mA, IB=0.5mA VBE(sat)2 - 900 - mV IC=100mA, IB=5mA VBE(on)1 580 - 700 mV IC=2mA, VCE=5V VBE(on)2 - - 770 mV IC=10mA, VCE=5V hFE 110 - 800 - IC=2mA, VCE=5V (1) Transition Frequency fT - 300 - MHz Output Capacitance Cob - 3.5 6 pF (1)Pulse Test: Pulse Width Test Conditions IC=10µA 380µs, Duty Cycle 2% Classification of hFE Rank A B C Range 110~220 200~450 420~800 IC=10mA, VCE=5V VCB=10V, f=1MHz, IE=0 PDF
Документация на BC847C 

Дата модификации: 27.10.2015

Размер: 176.9 Кб

2 стр.

DC COMPONENTS CO., LTD. BC847 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for switching and AF amplifier amplification suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits. SOT-23 .020(0.50) .012(0.30) Pinning 1 = Base 2 = Emitter 3 = Collector 3 .063(1.60) .055(1.40) 1 .108(0.65) .089(0.25) 2 o Absolute Maximum Ratings(TA=25 Characteristic C) Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter-Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 100 mA Total Power Dissipation PD 225 mW Junction Temperature TJ +150 o Storage Temperature TSTG -55 to +150 o .091(2.30) .067(1.70) .045(1.15) .034(0.85) .118(3.00) .110(2.80) .0043(0.11) .0035(0.09) .051(1.30) .035(0.90) .026(0.65) .010(0.25) C .004 Max (0.10) .027(0.67) .013(0.32) Dimensions in inches and (millimeters) C Electrical Characteristics o (Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Collector-Base Breakdown Volatge BVCBO 50 - - V Collector-Emitter Breakdown Voltage BVCEO 45 - - V IC=1mA Emitter-Base Breakdown Volatge BVEBO 6 - - V IE=1µA ICBO - - 15 nA VCB=30V Collector Cutoff Current (1) Collector-Emitter Saturation Voltage (1) Base-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage VCE(sat)1 - 90 250 mV IC=10mA, IB=0.5mA VCE(sat)2 - 200 600 mV IC=100mA, IB=5mA VBE(sat)1 - 700 - mV IC=10mA, IB=0.5mA VBE(sat)2 - 900 - mV IC=100mA, IB=5mA VBE(on)1 580 - 700 mV IC=2mA, VCE=5V VBE(on)2 - - 770 mV IC=10mA, VCE=5V hFE 110 - 800 - IC=2mA, VCE=5V (1) DC Current Gain Transition Frequency fT - 300 - MHz Output Capacitance Cob - 3.5 6 pF (1)Pulse Test: Pulse Width Test Conditions IC=10µA 380µs, Duty Cycle 2% Classification of hFE Rank A B C Range 110~220 200~450 420~800 IC=10mA, VCE=5V VCB=10V, f=1MHz, IE=0 PDF
Документация на BC847C 

Дата модификации: 06.12.2002

Размер: 227.3 Кб

1 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.