LBC847BLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating – Human Body Model: >4000 V ESD Rating – Machine Model: >400 V • We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. • S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site LBC846ALT1G S-LBC846ALT1G Series and Control Change Requirement...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
  Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= BC847C.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847CW.115 (NEX-NXP) SC703 в ленте 3000 шт
P= BC847C (YJ)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC847B (YJ)
BC847B (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC847C (NEX-NXP)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
P= BC847C (DC)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
P= BC847C (DIOTEC)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3] Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BCW72.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847B (DC)
BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847C.235 (NEX-NXP) TO236 в ленте 10000 шт
P= BC847C (NXP)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 10000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Fгран:...
P= BCW72 (MULTCMP) SOT-23-3 1 шт
 
P= BC847CT (NXP) SOT-23-3 1 шт
 
P= BCW72 (NXP) SOT-23-3 1 шт
 
P= BC847CW (DIOTEC) SOT-323-3 в ленте 110 шт Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BCW71.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847CW (NXP) SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
P= BCW72.235 (NEX-NXP) TO236
 
P= BC847CW (YJ) SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC847A (YJ)
BC847A (DIODES)
SOT-23-3 3000 шт
 
P- BC847B.235 (NEX-NXP) TO236 в ленте 10000 шт
P- BC847B.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P- BC847B (DIOTEC)
BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P- BC847B (NXP)
BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Fгран: 100 МГц; h2...

Файлы 1

показать свернуть
Документация на LBC846ALT1G 

Дата модификации: 08.03.2013

Размер: 402.2 Кб

13 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.