LBC847BLT1G
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
NPN Silicon
• Moisture Sensitivity Level: 1
• ESD Rating – Human Body Model: >4000 V
ESD Rating – Machine Model: >400 V
• We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
• S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
LBC846ALT1G
S-LBC846ALT1G
Series
and Control Change Requirement...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Серия: LBC847
- Корпус: —
- Норма упаковки: 1 шт.
Технические характеристики
показать свернуть| Тип проводимости и конфигурация |  | |
|---|---|---|
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Напряжение КЭ максимальное |  | |
| Ток коллектора |  | |
| Граничная рабочая частота |  | |
| Коэффициент усиления по току |  | |
| Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | ||
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 24
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Пара | Pрасс | UКЭ(макс) | UКЭ(пад) | IК(макс) | F гран | h 21 | R1 | R2 | Примечание | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P= | BC847C.215 (NEX-NXP) | TO236 | в ленте 3000 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |
| P= | BC847CW.115 (NEX-NXP) | SC703 | в ленте 3000 шт |
|  |  |  |  | — |  |  |  | — | — | — | |
| P= | BC847C (YJ) BC847C (DIODES) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| P= | BC847B (YJ) BC847B (DIODES) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| P= | BC847C (NEX-NXP) BC847C (DIODES) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |
|  | — | — |  | — |  |  |  | — | — | — | |
| P= | BC847C (DC) BC847C (DIODES) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |
|  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |
| P= | BC847C (DIOTEC) BC847C (DIODES) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |
|  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 | |
| P= | BCW72.215 (NEX-NXP) | TO236 | в ленте 3000 шт |
|  |  |  |  | — |  |  |  | — | — |  | |
| P= | BC847B (DC) BC847B (DIODES) | TO236 | в ленте 3000 шт |
|  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |
| P= | BC847C.235 (NEX-NXP) | TO236 | в ленте 10000 шт |
|  |  |  |  | — |  |  |  | — | — | — | |
| P= | BC847C (NXP) BC847C (DIODES) | SOT-23-3 | в ленте 10000 шт |
|  | — |  |  | — |  |  |  | — | — | — | |
| P= | BCW72 (MULTCMP) | SOT-23-3 | 1 шт |  | — |  | — | — |  |  |  | — | — |  | ||
| P= | BC847CT (NXP) | SOT-23-3 | 1 шт |  | — | — |  | — |  |  |  | — | — | — | ||
| P= | BCW72 (NXP) | SOT-23-3 | 1 шт |  | — | — |  | — |  |  |  | — | — | — | ||
| P= | BC847CW (DIOTEC) | SOT-323-3 | в ленте 110 шт |
|  | — | — |  | — |  |  |  | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | |
| P= | BCW71.215 (NEX-NXP) | TO236 | в ленте 3000 шт |
|  |  |  |  | — |  |  |  | — | — |  | |
| P= | BC847CW (NXP) | SOT-323-3 | в ленте 3000 шт |  | — | — |  | — |  |  |  | — | — | — | ||
| P= | BCW72.235 (NEX-NXP) | TO236 |  |  |  |  | — |  |  |  | — | — | — | |||
| P= | BC847CW (YJ) | SOT-323-3 | в ленте 3000 шт |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| P= | BC847A (YJ) BC847A (DIODES) | SOT-23-3 | 3000 шт |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| P- | BC847B.235 (NEX-NXP) | TO236 | в ленте 10000 шт |
|  |  |  |  | — |  |  |  | — | — | — | |
| P- | BC847B.215 (NEX-NXP) | TO236 | в ленте 3000 шт |
|  |  |  |  | — |  |  |  | — | — |  | |
| P- | BC847B (DIOTEC) BC847B (DIODES) | TO236 | в ленте 3000 шт |
|  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 | |
| P- | BC847B (NXP) BC847B (DIODES) | TO236 | в ленте 3000 шт |
|  | — | — |  | — |  |  |  | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.