LBC847BLT1G
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
NPN Silicon
• Moisture Sensitivity Level: 1
• ESD Rating – Human Body Model: >4000 V
ESD Rating – Machine Model: >400 V
• We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
• S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
LBC846ALT1G
S-LBC846ALT1G
Series
and Control Change Requirement...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Серия: LBC847
- Корпус: —
- Норма упаковки: 1 шт.
Технические характеристики
показать свернутьТип проводимости и конфигурация | ||
---|---|---|
Рассеиваемая мощность | ||
Напряжение КЭ максимальное | ||
Ток коллектора | ||
Граничная рабочая частота | ||
Коэффициент усиления по току | ||
Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 18
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Пара | Pрасс | UКЭ(макс) | UКЭ(пад) | IК(макс) | F гран | h 21 | R1 | R2 | Примечание | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | BC847BMTF (ONS-FAIR) | TO236 | 1 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
P= | BC847B-TP (MCC) | TO236 | в ленте 3000 шт |
| — | — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | |||||||
P= | BC847BLT1G (ONS) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |
| — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 | ||||||||
P= | BC847BT116 (ROHM) | SOT-23-3 |
| — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | |||||||||
P= | BC847BLT1 (ONS) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |
| — | — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB | |||||||
P= | BC847C.215 (NEX-NXP) | TO236 | в ленте 3000 шт |
| — | — | — | |||||||||
P= | BC847BLT3G (ONS) | SOT-23-3 | 10000 шт |
| — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 | ||||||||
P= | BC846BLT1G (ONS) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |
| — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 | ||||||||
P= | BC847B (DC) BC847B (DIODES) | TO236 | в ленте 3000 шт |
| — | — | — | — | ||||||||
P- | BC847B (VISHAY) BC847B (DIODES) | — | — | — | — | — | — | |||||||||
P- | BC847B.235 (NEX-NXP) | TO236 | в ленте 10000 шт |
| — | — | — | — | ||||||||
P- | BC847B.215 (NEX-NXP) | TO236 | в ленте 3000 шт |
| — | — | — | |||||||||
P- | NSVBC847BLT3G (ONS) | SOT-23-3 |
| — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 | |||||||||
P- | SBC847BLT1G (ONS) | SOT-23-3 | 1 шт |
| — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 | ||||||||
P- | BC847B (DIOTEC) BC847B (DIODES) | TO236 | в ленте 3000 шт |
| — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 | ||||||||
P- | BC847B (DIODES) | TO236 | в ленте 3000 шт |
| — | — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | |||||||
P- | BC847B-7-F (DIODES) | SOT-23-3 | 200 шт |
| — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | ||||||||
P- | BC847B (NXP) BC847B (DIODES) | TO236 | в ленте 3000 шт |
| — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.