LBC847BLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating – Human Body Model: >4000 V ESD Rating – Machine Model: >400 V • We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. • S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site LBC846ALT1G S-LBC846ALT1G Series and Control Change Requirement...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
  Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= BC847BMTF (ONS-FAIR)
 
TO236 1 шт
 
 — — — — — — — — — — —
P= BC847B-TP (MCC)
 
TO236 в ленте 3000 шт — — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC847BLT1G (ONS)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт NPN Bipolar Transistor — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC847BT116 (ROHM)
 
SOT-23-3 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC847BLT1 (ONS)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: 2... — — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
P= BC847C.215 (NEX-NXP)
 
TO236 в ленте 3000 шт — — —
P= BC847BLT3G (ONS)
 
SOT-23-3 10000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: 2... — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC846BLT1G (ONS)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт NPN Bipolar Transistor — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC847B (DC)
 

BC847B (DIODES) 		TO236 в ленте 3000 шт — — — —
P- BC847B (VISHAY)
 

BC847B (DIODES) 		—
 
 — — — — —
P- BC847B.235 (NEX-NXP)
 
TO236 в ленте 10000 шт — — — —
P- BC847B.215 (NEX-NXP)
 
TO236 в ленте 3000 шт — — —
P- NSVBC847BLT3G (ONS)
 
SOT-23-3 Биполярный транзистор общего назначения — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P- SBC847BLT1G (ONS)
 
SOT-23-3 1 шт Биполярный транзистор - [SOT-23]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: 2... — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P- BC847B (DIOTEC)
 

BC847B (DIODES) 		TO236 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P- BC847B (DIODES)
 
TO236 в ленте 3000 шт — — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P- BC847B-7-F (DIODES)
 
SOT-23-3 200 шт — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P- BC847B (NXP)
 

BC847B (DIODES) 		TO236 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Fгран: 100 МГц; h2... — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating – Human Body Model: >4000 V ESD Rating – Machine Model: >400 V • We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. • S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site LBC846ALT1G S-LBC846ALT1G Series and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 MAXIMUM RATINGS Rating Collector–Emitter Voltage 1 Symbol VCEO SOT–23 VEBO 1 B ASE Vdc 6.0 6.0 5.0 IC 100 2 EMIT T ER mAdc MARKING DIAGRAM THERMAL CHARACTERISTICS 3 Characteristic Symbol Max Unit Total Device Dissipation FR–5 Board (Note 1.) TA = 25°C Derate above 25°C PD 225 mW 1.8 mW/°C RqJA 556 °C/W PD 300 mW 2.4 mW/°C RqJA 417 °C/W TJ, Tstg –55 to +150 °C Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1.) Total Device Dissipation Alumina Substrate (Note 2.) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 2.) Junction and Storage Temperature Range 3 COLLECT OR Vdc 80 50 30 LBC846 LBC847, LBC850 LBC848, LBC849 Collector Current – Continuous Vdc VCBO LBC846 LBC847, LBC850 LBC848, LBC849 Emitter–Base Voltage 2 Unit 65 45 30 LBC846 LBC847, LBC850 LBC848, LBC849 Collector–Base Voltage Value xx 1 2 xx= Device Marking (See Table Below) 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. Rev.A 1/13 PDF
Документация на LBC846ALT1G 

Дата модификации: 08.03.2013

Размер: 402.2 Кб

13 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N5192 (ST)