BSS84

Hottech
BSS84 P-CHANNEL MOSFET FEATURES  Energy efficient  Low threshold voltage  High-speed switching MECHANICAL DATA      Case: SOT-23 Case material: Molded plastic. UL flammability Classification rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) Marking: PD SOT-23 MAXIMUM RATINGS (TA= 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Drain-source voltage VDS Gate-source voltage VGS Continuo...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= BSS84 (YJ)
 

BSS84 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P= BSS84 (YOUTAI)
 

BSS84 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт ± — — — —
P= BSS84LT1G (VBSEMI)
 
— 10 шт
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
BSS84 P-CHANNEL MOSFET FEATURES  Energy efficient  Low threshold voltage  High-speed switching MECHANICAL DATA      Case: SOT-23 Case material: Molded plastic. UL flammability Classification rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) Marking: PD SOT-23 MAXIMUM RATINGS (TA= 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Drain-source voltage VDS Gate-source voltage VGS Continuous drain current ID Pulsed drain current @tp <10 μs (note 1) IDM Power dissipation PD Thermal resistance from junction to ambient (note 2) RθJA Junction temperature TJ Storage temperature TSTG ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Min Typ. Max Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS -50 V -15 µA Zero gate voltage drain current IDSS -0.1 µA Gate-body leakage current IGSS ±5 µA Gate threshold voltage (note 3) VGS(th) -0.9 -2 V 10 Ω Drain-source on-resistance RDS(on) (note 3) 8 Ω Forward transconductance gFS 50 mS (note 1) Input capacitance Ciss 30 pF Output capacitance Coss 10 pF Reverse transfer capacitance Crss 5 pF Turn-on delay time td(on) 2.5 ns Turn-on rise time tr 1 ns Turn-off delay time td(off) 16 ns Turn-off fall time tf 8 ns Continuous current IS -0.13 A Pulsed current ISM -0.52 A Diode forward voltage (note 3) VSD -2.2 V Equivalent circuit Value -50 ±20 -0.13 -0.52 225 556 +150 -55~+150 Unit V V A A mW °C/W °C °C Conditions VGS = 0V, ID =-250μA VDS =-50V,VGS = 0V VDS =-25V,VGS = 0V VGS =±20V, VDS = 0V VDS =VGS, ID =-250μA VGS =-5V, ID =-0.1A VGS =-10V, ID =-0.1A VDS=-25V; ID=-100mA VDS=5V,VGS =0V,f =1MHz VDD=-15V,RL=50Ω, ID=-2.5A IS=-0.13A, VGS = 0V Notes : 1. Repetitive rating : Pulse width limited by junction temperature. 2. Surface mounted on FR4 board , t≤10s. 3. Pulse Test : Pulse Width≤300μs, Duty Cycle≤2%. ©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD E-mail:hkt@heketai.com 1 PDF
Документация на BSS84 

Subject:

Дата модификации: 17.10.2019

Размер: 1.05 Мб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)