BSS84

Yangjie
Полевой транзистор. P-канальный; напряжение сток-исток макс. -60 В; ток стока -170 мА; RDS(ON) 8 Ом; мощность рассеивания 350 мВт; заряд затвора 1.77 нКл; корпус SOT-23
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= BSS84 (YOUTAI)
 

BSS84 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт ± — — — —
P= BSS84LT1G (VBSEMI)
 
— 10 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= BSS84 (HOTTECH)
 

BSS84 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
P- BSS84 (JSCJ)
 

BSS84 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 2000 шт
 
 — — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS BSS84 COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) -60 V -0.17 A ＜8 ohm ＜9.9 ohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Low RDS(ON) ● Low Gate Charge ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Video monitor ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Maximum Drain-source Voltage VDS -60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current -0.17 ID TA=70℃ @ Steady State Unit A -0.14 Pulsed Drain Current A IDM 1.2 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 0.35 W Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 357 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE BSS84 F2 B84. 3000 30000 120000 7“ reel 1/6 S-E080 Rev3.1,24-Feb-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на BSS84 

Дата модификации: 24.02.2023

Размер: 577.7 Кб

6 стр.

RoHS BSS84 COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) -60 V -0.17 A ＜8 ohm ＜10 ohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Low RDS(ON) ● Low Gate Charge Applications ● Video monitor ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Maximum Drain-source Voltage VDS -60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current -0.17 ID TA=70℃ @ Steady State Unit A -0.14 Pulsed Drain Current A IDM -0.68 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 225 mW Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 556 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE BSS84 F2 B84. 3000 30000 120000 7“ reel 1/5 S-S2050 Rev.20,25-Dec-18 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на BSS84 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 06.09.2019

Размер: 539.4 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)