Вход / Регистрация

BSS84

SUNCO
Полевой транзистор. P-канальный; напряжение сток-исток макс. -60 В; ток стока -170 мА; RDS(ON) 8 Ом; мощность рассеивания 350 мВт; заряд затвора 1.77 нКл; корпус SOT-23
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= BSS84LT1G (VBSEMI)
 
— 10 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= BSS84 (YOUTAI)
 

BSS84 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт ± — — — —
P= BSS84 (HOTTECH)
 

BSS84 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- BSS84 (JSCJ)
 

BSS84 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 2000 шт
 
 — — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS BSS84 COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) -60 V -0.17 A ＜8 ohm ＜9.9 ohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Low RDS(ON) ● Low Gate Charge ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Video monitor ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Maximum Drain-source Voltage VDS -60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current -0.17 ID TA=70℃ @ Steady State Unit A -0.14 Pulsed Drain Current A IDM 1.2 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 0.35 W Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 357 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE BSS84 F2 B84. 3000 30000 120000 7“ reel 1/6 S-E080 Rev3.1,24-Feb-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на BSS84 

Дата модификации: 24.02.2023

Размер: 577.7 Кб

6 стр.

RoHS BSS84 COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) -60 V -0.17 A ＜8 ohm ＜10 ohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Low RDS(ON) ● Low Gate Charge Applications ● Video monitor ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Maximum Drain-source Voltage VDS -60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current -0.17 ID TA=70℃ @ Steady State Unit A -0.14 Pulsed Drain Current A IDM -0.68 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 225 mW Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 556 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE BSS84 F2 B84. 3000 30000 120000 7“ reel 1/5 S-S2050 Rev.20,25-Dec-18 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на BSS84 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 06.09.2019

Размер: 539.4 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)