HKTD5N50

Hottech
HKTD5N50 N-CHANNEL Power MOSFET FEATURES  VDS: 500V Min, ID: 5A Max.  RDS(ON):1.7Ω(max.)@VGS=10V,I,D=1A  RDS(ON):1.6Ω(max.)@VGS=10V ,ID=2.5A  High density nsity cell design for ultra low on-resistance  Fully characterized avalanche voltage and current TO--252 MECHANICAL DATA     Case: TO-252 Case material: Molded Plastic. UL U flammability 94V-0 Weight:0.33grams(approximate e) Marki...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WML10N70D1 (WAYON)
 
— в линейках 50 шт
 
 — — —
A+ WMM10N65C2 (WAYON)
 
TO263
 
 — — —
A+ WMP11N65C2 (WAYON)
 
TO251
 
 — — —
A+ WMP07N60C2 (WAYON)
 
TO251
 
 — — —
A+ WMO11N60C2 (WAYON)
 
TO252
 
 — — —
A+ WMO10N60C2 (WAYON)
 
TO252
 
 — — —
A+ WMO07N65C2 (WAYON)
 
TO252
 
 — — —
A+ WMO07N60C2 (WAYON)
 
TO252
 
 — — —
A+ WMN11N65C2 (WAYON)
 
TO-262-3 — — —
A+ WMN09N60C2 (WAYON)
 
TO-262-3 — — —
A+ WMM11N65C2 (WAYON)
 
TO263
 
 — — —
A+ WMM09N65C2 (WAYON)
 
TO263
 
 — — —
A+ WMM10N60C2 (WAYON)
 
TO263
 
 — — —
A+ WMM09N60C2 (WAYON)
 
TO263
 
 — — —
A+ STP9NK60Z (VBSEMI)
 
— в линейках 50 шт
 
 — —
A+ WMP11N70C2 (WAYON)
 
TO251
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
HKTD5N50 N-CHANNEL Power MOSFET FEATURES  VDS: 500V Min, ID: 5A Max.  RDS(ON):1.7Ω(max.)@VGS=10V,I,D=1A  RDS(ON):1.6Ω(max.)@VGS=10V ,ID=2.5A  High density nsity cell design for ultra low on-resistance  Fully characterized avalanche voltage and current TO--252 MECHANICAL DATA     Case: TO-252 Case material: Molded Plastic. UL U flammability 94V-0 Weight:0.33grams(approximate e) Marking:D5N50 e EQUIVALENT CIRCUIT ess otherwise noted) MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unle meter Param Symbo bol Value Unit Drain-source voltage VDS 500 V Gate-source voltage VGS ±30 V Continuous drain current, VGS=10V ID 5 A Pulsed drain current (Note 1) IDM 16 A Power dissipation PD 22 W Thermal resistance from junction unction to ambient RθJA 110 C/W Operating junction and storage torage temperature TJ,TSTG -55~+150 °C Single Pulsed Avalanche Energy (note 1) EAS 12 mJ TL 260 °C Lead Temperature for Soldering Purposes (1/8’’ from case for 10s) Note: 1. EAS condition: VDD=20V,L=0.5mH, RG=25Ω, Starting TJ = 25°C ©GUANGDONGHOTTECHINDUSTRIALCO.,LTD D E-mail:hkt@heketai.com 1/6 PDF
Документация на HKTD5N50 

Subject:

Дата модификации: 12.07.2022

Размер: 2.92 Мб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    22 июня
    статья

    30 лет на рынке силовой электроники: продукция Hottech для промышленности и электромобилей

    Владислав Долгов (КОМПЭЛ), Сергей Сотников (КОМПЭЛ) Shenzhen Hottech Electronics Co., Ltd. (торговая марка HKT) – китайский производитель силовых полупроводников и пассивных компонентов, основанный в 1992 году. Штаб–квартира расположена в... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)