STP9NK60Z

STP9NK60Z www.VBsemi.tw N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 650 VDS (V) at TJ max. RDS(on) max. at 25 °C (Ω) VGS = 10 V • • • • • 0.86 Qg max. (nC) 43 Qgs (nC) 5 22 Qgd (nC) Configuration Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss) Reduced switching and conduction losses Ultra low gate charge (Qg) Avalanche energy rated (UIS) APPLICATIONS...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 20

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMO14N70C2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ 10N65F (YOUTAI)
 
TO220F 1 шт
 
±
A+ WMK20N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMK16N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMK14N70C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMP11N65C2 (WAYON)
 
TO251
 
A+ WMO90R500S (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMM14N70C2 (WAYON)
 
TO263
 
A+ WMM11N65C2 (WAYON)
 
TO263
 
A+ WML16N70C2 (WAYON)
 
TO220F 1 шт
 
A+ WML14N70C2 (WAYON)
 
TO220F
 
A+ WML11N65C2 (WAYON)
 
TO220F
 
A+ IRF740ASPBF (VBSEMI)
 
в ленте 800 шт
 
A+ CRJS180N65G2 (CRMICRO)
 
в ленте 50 шт
 
A+ CRJL180N65G2 (CRMICRO)
 
1 шт
 
A+ CRJF380N65G2 (CRMICRO)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ CRJF190N65G2BF (CRMICRO)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ CRJD360N70G2 (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ NCE70T260K (NCE)
 
TO252 в ленте 100 шт
 
A+ CJP12N65 (JSCJ)
 
TO2203L
 
±

Файлы 1

показать свернуть
STP9NK60Z www.VBsemi.tw N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 650 VDS (V) at TJ max. RDS(on) max. at 25 °C (Ω) VGS = 10 V • • • • • 0.86 Qg max. (nC) 43 Qgs (nC) 5 22 Qgd (nC) Configuration Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss) Reduced switching and conduction losses Ultra low gate charge (Qg) Avalanche energy rated (UIS) APPLICATIONS Single • • • • Server and telecom power supplies Switch mode power supplies (SMPS) Power factor correction power supplies (PFC) Lighting - High-intensity discharge (HID) - Fluorescent ballast lighting • Industrial TO-220AB TO-220 FULLPAK D D2PAK (TO-263) G G D S G D S G D S S Top View N-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL LIMIT Drain-Source Voltage VDS 650 Gate-Source Voltage VGS ± 30 ID 10 8.0 A IDM 40 3.2 W/°C Single Pulse Avalanche Energy b EAS mJ Maximum Power Dissipation PD 280 106 /34 -55 to +150 15 °C Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) VGS at 10 V TC = 25 °C TC = 100 °C Pulsed Drain Current a Linear Derating Factor Operating Junction and Storage Temperature Range Drain-Source Voltage Slope TJ, Tstg TJ = 125 °C Reverse Diode dV/dt d Soldering Recommendations (Peak Temperature) c for 10 s dV/dt UNIT V W 4.1 V/ns 300 °C Notes a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature. b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 28.2 mH, Rg = 25 Ω, IAS = 4.5 A. c. 1.6 mm from case. d. ISD ≤ ID, dI/dt = 100 A/μs, starting TJ = 25 °C. E-mail:China@VBsemi TEL:86-755-83251052 1 PDF
Документация на STP9NK60Z 

STP9NK60Z VBSEMI | Alldatasheet DATASHEET SEARCH, DATABOOK, COMPONENT, FREE DOWNLOAD SITE

Дата модификации: 08.09.2023

Размер: 902.2 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.