IRLML2803

Hottech
IRLML2803 N-CHANNEL MOSFET FEATURES  Generation V Technology  Ultra Low On-Resistance  N-Channel MOSFET  Low Profile (<1.1mm)  Available in Tape and Reel  Fast Switching SOT-23 MECHANICAL DATA     Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) Absolute Maximum Ratings Parameter ID @ TA = 25°C ID @ TA = ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Группа: FET транзисторы  
  • Альт. имя: IRLML2803TRPBF (HOTTECH)
  • Корпус: —
  • Норма упаковки: 3000  шт. (в ленте)

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IRLML2803TRPBF (VBSEMI)
 

IRLML2803TRPBF (INFIN) 		— в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= IRLML2803TRPBF-VB (VBSEMI)
 

IRLML2803TRPBF (VBSEMI) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ NTR4503NT1G (YOUTAI)
 
—
 
 — —
A+ IRLML2803 (KLS)
 

IRLML2803TRPBF (HOTTECH) 		— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ IRLML2803 (KEENSIDE)
 

IRLML2803TRPBF (HOTTECH) 		— в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —

Файлы 2

показать свернуть
IRLML2803 N-CHANNEL MOSFET FEATURES  Generation V Technology  Ultra Low On-Resistance  N-Channel MOSFET  Low Profile (<1.1mm)  Available in Tape and Reel  Fast Switching SOT-23 MECHANICAL DATA     Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) Absolute Maximum Ratings Parameter ID @ TA = 25°C ID @ TA = 70°C IDM PD @TA = 25°C VGS dv/dt TJ, TSTG Max. Continuous Drain Current, VGS @ 10V Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current  Power Dissipation Linear Derating Factor Gate-to-Source Voltage Peak Diode Recovery dv/dt ‚ Junction and Storage Temperature Range Units 1.2 0.93 7.3 540 4.3 ± 20 5.0 -55 to + 150 A mW mW/°C V V/ns °C Thermal Resistance Parameter RθJA Maximum Junction-to-Ambient „ © SHENZHEN HOTTECH ELECTRONICS CO.,LTD Typ. Max. Units ––– 230 °C/W E-mail:hkt@heketai.com 1/6 PDF
Документация на IRLML2803 

Subject:

Дата модификации: 31.10.2018

Размер: 1.13 Мб

8 стр.

IRLML2803 N-CHANNEL MOSFET FEATURES  Generation V Technology  Ultra Low On-Resistance  N-Channel MOSFET  Low Profile (<1.1mm)  Available in Tape and Reel  Fast Switching SOT-23 MECHANICAL DATA     Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) Absolute Maximum Ratings Parameter ID @ TA = 25°C ID @ TA = 70°C IDM PD @TA = 25°C VGS dv/dt TJ, TSTG Max. Continuous Drain Current, VGS @ 10V Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current  Power Dissipation Linear Derating Factor Gate-to-Source Voltage Peak Diode Recovery dv/dt ‚ Junction and Storage Temperature Range Units 1.2 0.93 7.3 540 4.3 ± 20 5.0 -55 to + 150 A mW mW/°C V V/ns °C Thermal Resistance Parameter RθJA Maximum Junction-to-Ambient „ ©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD Typ. Max. Units ––– 230 °C/W E-mail:hkt@heketai.com 1/6 PDF
Документация на IRLML2803 

Subject:

Дата модификации: 31.10.2018

Размер: 672.3 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7000 (DC)