JMGC540P10A

JIEJIE
JMGC540P10A Description JMG P-channel Advanced Mode Power MOSFET Features Application  -100V, -35A RDS(ON)< 53mΩ @ VGS = -10V RDS(ON)< 64mΩ @ VGS = -4.5V  Load Switch  PWM Application  Power management  Advanced Split Gate Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired TO-220C top view 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and p...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2203L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJP30GP10A (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 5000 шт
 
 — —
P- NCE01P30 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — — —
P- CRTT370P10L (CRMICRO)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMGC540P10A Description JMG P-channel Advanced Mode Power MOSFET Features Application  -100V, -35A RDS(ON)< 53mΩ @ VGS = -10V RDS(ON)< 64mΩ @ VGS = -4.5V  Load Switch  PWM Application  Power management  Advanced Split Gate Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired TO-220C top view 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device OUTLINE Device Package TUBE (PCS) Inner BOX (PCS) Per Carton (PCS) JMGC540P10A JMGC540P10A TUBE TO-220C 50 1000 5000 Absolute Maximum Ratings (TC=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage -100 V VGSS Gate-Source Voltage ±20 V TC = 25℃ -35 A TC = 100℃ -23 A -140 A 82 mJ 140 W 1.1 ℃/W -55 to +175 ℃ ID Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current EAS Single Pulsed Avalanche Energy note2 PD Power Dissipation RθJC TJ, TSTG note1 TC = 25℃ Thermal Resistance, Junction to Case Operating and Storage Temperature Range JieJie Microelectronics CO. , Ltd Version :1.0 -1- PDF
Документация на JMGC540P10A 

Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:

Дата модификации: 19.07.2021

Размер: 345 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    06 марта 2024
    новость

    Низковольтные MOSFET JJMicroelectronics доступны со склада КОМПЭЛ

    Компания JieJie Microelectronics Co., Ltd. (JJMicroelectronics) – известный китайский производитель дискретных полупроводников и силовых модулей. Она была основана в г. Цидун в 1995 году и производит MOSFET–транзисторы, диодные и... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)