YJP30GP10A

Yangjie
RoHS YJP30GP10A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested -100V -30A ＜56 mohm ＜62 mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flamm...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= NCE01P13 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — — —
P- CJP50P06S (JSCJ)
 
TO2203L в линейках 1000 шт
 
 ± — — — — —
P- NCE60P25 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — — —
P- NCE01P18 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — — —
P- NCE01P30 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — — —
P- IRF9530N (EVVO)
 

IRF9530N (INFIN) 		TO-220-3 1000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF9540NPBF (JSMICRO)
 

IRF9540NPBF (INFIN) 		— в линейках 300 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CRTT370P10L (CRMICRO)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
P- JMGC540P10A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —
P- IRF9520N (EVVO)
 

IRF9520N (INFIN) 		TO-220-3 1000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF9520NPBF-VB (VBSEMI)
 
— 20 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF9540N (EVVO)
 

IRF9540N (INFIN) 		TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
P- IRF5305PBF (YOUTAI)
 

IRF5305 (YOUTAI)
IRF5305PBF (INFIN) 		TO-220-3 в линейках 800 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJP30GP10A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested -100V -30A ＜56 mohm ＜62 mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS -100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V Tc=25℃ -30 Drain Current ID A Tc=100℃ -19.2 Pulsed Drain Current A IDM -120 A Avalanche energy B EAS 162 mJ Tc=25℃ Total Power Dissipation 125 C PD W Tc=100℃ 50 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 12 15 50 60 0.8 1.0 Units RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJP30GP10A B1 YJP30GP10A 50 / 5000 Tube 1/6 S-E410 Rev.3.4,07-Mar-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJP30GP10A 

Дата модификации: 07.03.2023

Размер: 890.5 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)