JMSH1002AS-U

JMSH1002AS 100V 1.7m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter • Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) • Low Gate Charge, Qg • 100% UIS and Rg Tested • Pb-free Lead Plating Value Unit VDS 100 V VGS(th)_Typ 2.8 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 314 A 1.7 m • Halogen-free and RoHS-compliant Applications • Power Managerment in Telecom., Industrial Automatio...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2473
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSH1001ATLQ-13 (JIEJIE)
 
2000 шт
 
A+ NCEP01T30T (NCE)
 
TO-247-3 ±
A+ NCEP020N10LL (NCE)
 
в ленте 10 шт
 
±

Файлы 1

показать свернуть
Документация на JMSH1002AS-U 

JMSH1002AS_Rev2.1.xlsx

Дата модификации: 09.01.2023

Размер: 310.7 Кб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    14 мая 2024
    новость

    Новые решения JIEJIE для современных зарядных станций

    Среди новинок одного из ведущих производителей силовых полупроводников Китая – компании Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd. (JIEJIE) – появились элементы автомобильного класса для силовых каскадов PFC и DC/DC с повышающим преобразователем,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.