JMSH1004AE-13

JIEJIE
JMSH1004AC JMSH1004AE 100V 3.0m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features • Ultra-low RDS(ON) • Low Gate Charge • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested • Pb-free Lead Plating Parameter Typ. Unit VDS 100 V VGS(th) 2.7 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON) (@ VGS = 10V) 190 A 3.0 m • Halogen-free and RoHS-compliant Applications • Power Managerment in Telecom., Industrial Automation, CE • ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMM028N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ JMSH1003NE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
 — — — —
A+ CJB3R0SN10B (JSCJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — — —
A+ NCEP023N10LL (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP023N10D (NCE)
 
TO263 6 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP020N10LL (NCE)
 
— в ленте 10 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP01T30T (NCE)
 
TO-247-3 ± — — —
A+ NCEP01T18VD (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP01T18D (NCE)
 
TO263
 
 ± — — —
A+ NCEP01T18 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ JMSH1004AEQ-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
 — — — —
A+ WMK028N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
A+ JMSH1002AS-U (JIEJIE)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — —
A+ WMB049N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — —
A+ WMM028N10HG2 (WAYON)
 
TO263 5 шт
 
 — — — — — —
A+ YJN280G10H (YJ)
 
TO-247-3 — — — —
A+ IRFP4468 (EVVO)
 

IRFP4468 (INFIN) 		TO-247-3 в линейках 450 шт
 
 — — — — — — —
A+ JMSH1003NC-U (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —
A+ NCEP023N10T (NCE)
 
TO-247-3 1 шт ± — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMSH1004AC JMSH1004AE 100V 3.0m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features • Ultra-low RDS(ON) • Low Gate Charge • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested • Pb-free Lead Plating Parameter Typ. Unit VDS 100 V VGS(th) 2.7 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON) (@ VGS = 10V) 190 A 3.0 m • Halogen-free and RoHS-compliant Applications • Power Managerment in Telecom., Industrial Automation, CE • Current Switching in DC/DC & AC/DC (SR) Sub-systems • Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics TO-220-3L Top View TO-263-3L Top View D D G G D G S S S Ordering Information Device Package # of Pins Marking MSL TJ (°C) Media JMSH1004AC-U TO-220-3L 3 SH1004A N/A -55 to 175 Tube 50 JMSH1004AE-13 TO-263-3L 3 SH1004A 1 -55 to 175 13-inch Reel 800 Quantity (pcs) Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit Drain-to-Source Voltage VDS 100 V Gate-to-Source Voltage VGS ±20 V TC = 25°C Continuous Drain Current (1) 190 ID TC = 100°C Pulsed Drain Current (2) A 134 IDM 531 (3) IAS 70 A Avalanche Energy (3) EAS 245 mJ Avalanche Current Power Dissipation (4) TC = 25°C 250 PD TC = 100°C Junction & Storage Temperature Range -55 to 175 TJ, TSTG °C Gate Charge 20 10 VDS = 50V ID = 20A 16 8 12 6 VGS (V) RDS(ON) (m) W 125 RDS(ON) vs. VGS 8 ID = 20A 4 2 4 0 0 0 4 8 12 16 20 0 20 VGS (V) Rev. 2.3 A 40 60 80 Qg (nC) JieJie Microelectronics Co., Ltd. All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers Page 1 of 5 PDF
Документация на JMSH1004AC-U 

JMSH1004AC(E)_Rev2.3.xlsx

Дата модификации: 26.07.2022

Размер: 342 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)