JMSL0401BG-13

JMSL0401BG 40V 0.85mΩ N-Ch Power MOSFET Product Summary Features • Parameter Ultra-low RDS(ON) • Low Gate Charge • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested • • Value Unit VDS 40 V VGS(th)_Typ 1.5 V (1) 243 A Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 0.85 mΩ Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 1.2 mΩ Applications • Power Managemen...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSH0401ATSQ-13 (JIEJIE)
 
2000 шт
 
A+ JMSH040SAGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL040SAG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ NCEP40T35ALL (NCE)
 
15 шт
 
±

Файлы 1

показать свернуть
JMSL0401BG 40V 0.85mΩ N-Ch Power MOSFET Product Summary Features • Parameter Ultra-low RDS(ON) • Low Gate Charge • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested • • Value Unit VDS 40 V VGS(th)_Typ 1.5 V (1) 243 A Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 0.85 mΩ Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 1.2 mΩ Applications • Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications • Current Switching in DC/DC & AC/DC (SR) Sub-systems • Load Switching, Quick/Wireless Charging, Motor Driving PDFN5x6-8L Pin Configuration Top View Bottom View Top View D 1 8 2 7 3 6 4 5 G S Ordering Information Device Package # of Pins Marking MSL TJ (°C) Media Quantity (pcs) JMSL0401BG-13 PDFN5x6-8L 8 SL0401B 1 -55 to 150 13-inch Reel 5000 Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Symbol Value Unit Drain-to-Source Voltage VDS 40 V Gate-to-Source Voltage VGS ±20 V Parameter TC = 25°C Continuous Drain Current (1) 243 ID TC = 100°C (2) A 153 IDM 886 Avalanche Current (3) IAS 46 A (3) EAS 317 mJ Pulsed Drain Current Avalanche Energy Power Dissipation (4) TC = 25°C 96 PD TC = 100°C -55 to 150 RDS(ON) vs. VGS Gate Charge VDS = 20V ID = 20A 2.5 8 2.0 VGS (V) RDS(ON) (mΩ) °C 10 3.0 1.5 ID = 20A 6 4 2 1.0 0 0.5 2 4 6 8 10 12 0 20 VGS (V) Rev. 1.3 W 38 TJ, TSTG Junction & Storage Temperature Range A 40 60 80 100 Qg (nC) JieJie Microelectronics Co., Ltd. All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers Page 1 of 5 PDF
Документация на JMSL0401BG-13 

JMSL0401BG_Rev1.3.xlsx

Дата модификации: 27.12.2022

Размер: 320.8 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.