JMSL040SAG-13

JMSL040SAG 40V 0.58mΩ N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit VDS 40 V VGS(th)_Typ 1.5 V 349 A • Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 0.58 mΩ • Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 0.80 mΩ • Ultra-low RDS(ON) • Low Gate Charge • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Applications • Power Management in C...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSH040SAGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
JMSL040SAG 40V 0.58mΩ N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit VDS 40 V VGS(th)_Typ 1.5 V 349 A • Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 0.58 mΩ • Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 0.80 mΩ • Ultra-low RDS(ON) • Low Gate Charge • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Applications • Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications • Current Switching in DC/DC & AC/DC (SR) Sub-systems • Load Switching, Quick/Wireless Charging, Motor Driving PDFN5x6-8L Top View Pin Configuration Bottom View D Top View 1 8 2 7 3 6 4 5 G S Ordering Information Device Package # of Pins Marking MSL TJ (°C) Media Quantity (pcs) JMSL040SAG-13 PDFN5x6-8L 8 SL040SA 1 -55 to 150 13-inch Reel 5000 Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit Drain-to-Source Voltage VDS 40 V Gate-to-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current (1) TC = 25°C 349 ID TC = 100°C A 221 Pulsed Drain Current (2) IDM 1395 Avalanche Current (3) IAS 45 A Avalanche Energy (3) EAS 506 mJ Power Dissipation (4) TC = 25°C 139 PD TC = 100°C -55 to 150 10 VDS = 20V ID = 20A 1.6 8 VGS (V) 1.2 0.8 ID = 20A 6 4 2 0.4 0 0.0 2 4 6 8 10 0 30 VGS (V) Rev. 1.3 °C Gate Charge RDS(ON) vs. VGS 2.0 RDS(ON) (mΩ) W 56 TJ, TSTG Junction & Storage Temperature Range A 60 90 120 Qg (nC) JieJie Microelectronics Co., Ltd. All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers Page 1 of 5 PDF
Документация на JMSL040SAG-13 

JMSL040SAG_Rev1.3.xlsx

Дата модификации: 27.12.2022

Размер: 320.2 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.