Решения JIEJIE для управления аккумуляторными батареями
31 мая
Комфорт в жизни человека все больше зависит от наличия исправно работающих аккумуляторных батарей (АКБ). Смартфоны, игрушки, умные часы, медицинские электронные приборы и прочие портативные устройства, роботы-пылесосы, электротранспорт и инструменты, накопители энергии, многие стационарные устройства и даже приборы, работающие от иных (не электрических) источников энергии – все они нуждаются в источнике энергии, в качестве которого очень часто используется химический источник тока – аккумуляторная батарея.
Невероятно широкая сфера применений аккумуляторов вызвала их достаточно большое разнообразие и требование к интеллектуальному подходу для безопасной эксплуатации. Чрезмерные разряд или заряд и работа за пределами допустимого температурного диапазона могут привести к необратимому повреждению элементов аккумуляторной батареи и разогреву корпуса, вплоть до возгорания или взрыва.
Вести мониторинг состояния и обеспечить необходимые условия для правильной и безопасной работы АКБ позволяет система управления аккумулятором BMS (Battery Management System). BMS в реальном времени следит за состоянием каждого элемента аккумуляторной батареи, управляет их балансированием, условиями заряда и разряда, отключает неисправные элементы или всю АКБ, обменивается информацией со внешними системами устройства.
На рисунке 1 представлены в буквальном смысле ключевые компоненты системы управления АКБ и защиты одного аккумуляторного элемента — пары встречно включенных MOSFET (МОП-транзисторов). Это решение позволяет полностью контролировать цепь питания элемента или батареи независимо от процесса – заряда или разряда.
В качестве таких транзисторов китайская компания Jiangsu JieJie Microelectronics (JIEJIE) предлагает силовые MOSFET с напряжением «сток-исток» 30…200 В (таблица 1), построенные на траншейной платформе SGT. Площадь кристалла оптимизирована для достижения максимально возможной плотности мощности (размер шага между двумя соседними ячейками составляет меньше 1 мкм). Малые сопротивление открытого канала и заряд затвора способствуют отличным коммутационным характеристикам с минимальными потерями энергии в переходных процессах.
Благодаря хорошей повторяемости уровня порогового напряжения затвора всех транзисторов управление становится достаточно простым, исключая ложное переключение в схемах с параллельным включением MOSFET для коммутации больших токов. Транзисторы выполнены в корпусах различных форм-факторов и обладают превосходными тепловыми свойствами (малым тепловым сопротивлением), что расширяет границы области SOA (безопасной работы).
Все МОП-транзисторы JIEJIE демонстрируют высокую устойчивость к лавинному пробою при переключении индуктивной нагрузки (UIS) и проверяются на соответствие характеристик UIS на этапе окончательного испытания во время производства.
Таблица 1. MOSFET JIEJIE для BMS
Напряжение батареи, В | Количество ячеек в последовательной цепи батареи | Напряжение VDS, В | MOSFET, обычно применяемые в выходных цепях BMS | MOSFET, обычно применяемы в схемах заряда батарей |
---|---|---|---|---|
11,1…21,0 | 3…5 | 30 | JMSL030SAG-13 JMSL0301AG-13 JMSL0302AG-13 JMSL0302BG-13 JMSL0303AG-13 JMTG3002B JMTG3003A JMTG3005A JMTG3005A JMTK3002B JMTK3004A JMTK3006B JMTK3005A JMTG018N03A JMTG040N03A |
JMTL3401A JMTP4435A JMTP4953A JMTP9435A |
18,5…29,4 | 5…7 | 40 | JMSL040SAG-13 JMSL040SAG-13 JMSL0401AG-13 JMSL0402AG-13 JMSL0402BG-13 JMSL0403AG-13 JMSL0406AK-13 JMTG4004A JMTK4004A JMTK4005A JMTG035N04A JMGG020V04A |
JMTL850P04A JMTP440P04A JMTP520P04A |
25,9…36,0 | 7…9 | 60 | JMSL0606AK-13 JMSL0606AE-13 JMTK060N06A JMTK58N06B JMTK70N07A JMTK80N06A JMTE035N06D |
|
>36 | >9 | ≥80 | JMSH1001ATL-13 JMSH1003AE7Q-13 JMSH1004BE-13 JMSH1006AE-13 JMSH1008AE-13 |
Для защиты аккумуляторного элемента от импульсов перенапряжения (рисунок 1б) компания JIEJIE предлагает одно- и двунаправленные TVS-диоды (супрессоры) в корпусах SMA, SMB, SMC и SMD для поверхностного монтажа (таблица 2).
Таблица 2. Супрессоры JIEJIE для защиты аккумуляторных элементов
Наименование («CA» – симметричные) |
Напряжение, В | Ток импульса IPP, А | Ток утечки IR, мкА | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Рабочее VR | Пробоя VBR при токе 10 мА | Ограничения VC, при токе IPP | |||||
Мин. | Макс. | ||||||
SMAJ5.0A | SMAJ5.0CA | 5 | 6,40 | 7,00 | 9,2 | 43,5 | 120 |
SMBJ5.0A | SMBJ5.0CA | 65,2 | 120 | ||||
SMCJ5.0A | SMCJ5.0CA | 163,0 | 300 | ||||
SMDJ5.0A | SMDJ5.0CA | 326,1 | 800 | ||||
SMAJ6.0A | SMAJ6.0CA | 6 | 6,67 | 7,37 | 10,3 | 38,8 | 120 |
SMBJ6.0A | SMBJ6.0CA | 58,3 | 120 | ||||
SMCJ6.0A | SMCJ6.0CA | 145,6 | 250 | ||||
SMDJ6.0A | SMDJ6.0CA | 291,3 | 800 | ||||
5.0SMDJ11A | 5.0SMDJ11CA | 11 | 12,20 | 13,50 | 18,2 | 275,0 | 5 |
5.0SMDJ12A | 5.0SMDJ12CA | 12 | 13,30 | 14,70 | 19,9 | 252,0 | 5 |
Наши информационные каналы