JMTL2301B

JIEJIE
JMTL2301B Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  VDS=-20V, ID=-2.5A RDS(ON) <104mΩ @ VGS = -4.5V RDS(ON) <154mΩ @ VGS = -2.5V  PWM Applications  Load Switch  Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired SOT-23 top view Marking and pin Assignment Schematic Diagram Pac...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCE2301 (NCE)
 
SOT-23-3
 
 ± — — — —
P- CJ2321 (JSCJ)
 
SOT-23-3 10 шт
 
 — —
P- YJL2305B (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P- WM02P26M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- IRLML2246TRPBF (JSMICRO)
 

IRLML2246TRPBF (INFIN) 		— в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRLML2246 (EVVO)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTL2301B Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  VDS=-20V, ID=-2.5A RDS(ON) <104mΩ @ VGS = -4.5V RDS(ON) <154mΩ @ VGS = -2.5V  PWM Applications  Load Switch  Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired SOT-23 top view Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device OUTLINE Device Package Reel Size Reel (PCS) Per Carton (PCS) 2301B JMTL2301B TAPING SOT-23 7inch 3000 120000 Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage -20 V VGSS Gate-Source Voltage ±12 V ID Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current note1 PD Power Dissipation RθJA TJ, TSTG TA = 25℃ -2.5 TA = 100℃ -1.6 TA = 25℃ Thermal Resistance, Junction to Ambient Operating and Storage Temperature Range JieJie Microelectronics CO. , Ltd A -10 A 1 W 125 ℃/W -55 to +150 ℃ Version : 1.3 -1- PDF
Документация на JMTL2301B 

Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:

Дата модификации: 16.08.2022

Размер: 393.9 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)