NCE2301

NCE
NCE2301 http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2301 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features Schematic diagram ● VDS = -20V,ID = -3A RDS(ON) < 140mΩ @ VGS=-2.5V RDS(...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJ2301 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P- CJ2321 (JSCJ)
 
SOT-23-3 10 шт
 
 — —
P- YJL2301F (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P- YJL2305B (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P- WM02P23M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- WM02P26M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- IRLML2246TRPBF (JSMICRO)
 

IRLML2246TRPBF (INFIN) 		— в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- JMTL2301B (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P- IRLML2246 (EVVO)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCE2301 http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2301 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features Schematic diagram ● VDS = -20V,ID = -3A RDS(ON) < 140mΩ @ VGS=-2.5V RDS(ON) < 110mΩ @ VGS=-4.5V ● High power and current handing capability ● Lead free product is acquired Marking and pin assignment ● Surface mount package Application ● PWM applications ● Load switch SOT-23 top view ● Power management Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE2301 SOT-23 Ø180mm 8 mm 3000 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS ±12 V Drain Current-Continuous ID -3 A Drain Current -Pulsed IDM -10 A PD 1 W TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 125 ℃/W (Note 1) Maximum Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=-250μA -20 - - V Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=-20V,VGS=0V - - -1 μA Off Characteristics Wuxi NCE Power Co., Ltd Page1 V4.1 PDF
Документация на NCE2301 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 28.02.2023

Размер: 637.7 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WMJ25N80M3 (WAYON)