JMTL850P04A
JMTL850P04A
Description
JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Features
Application
VDS= -40V, ID= -5A
RDS(ON) < 88mΩ @ VGS = -10V
RDS(ON) < 117mΩ @ VGS = -4.5V
PWM Applications
Load Switch
Power Management
Advanced Trench Technology
Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge
Lead Free
SOT-23 top view
Marking and pin Assignment
Schematic Diagram
Package Marking and O...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-23-3
- Норма упаковки: 3000 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-23-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Заряд затвора | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на JMTL850P04A
Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:
Дата модификации: 22.09.2022
Размер: 376.4 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.