Вход / Регистрация

JMTLB2N7002KDS

JIEJIE
JMTLB2N7002KDS Description JMT N-channel MOSFET Features Application  VDS=60V, ID=0.2A RDS(ON)<2.1Ω @ VGS = 10V RDS(ON) <2.7Ω @ VGS = 4.5V      Battery Operated Systems  Direct logic-level Interface: TTL/CMOS  Solid-State Relays Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead free product is acquired ESD Protected: 2KV SOT-363-6L top view Marking and p...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- 2N7002DW (JSCJ)
 

2N7002DW (ONS-FAIR) 		SOT-323-6 SOT363 3000 шт — — —
P- 2N7002KCDW (YJ)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт — —
P- WM06DN03D (WAYON)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт — — — — — —
P- WM06DN03DE (WAYON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- 2N7002DW (EVVO)
 

2N7002DW (ONS-FAIR) 		SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTLB2N7002KDS Description JMT N-channel MOSFET Features Application  VDS=60V, ID=0.2A RDS(ON)<2.1Ω @ VGS = 10V RDS(ON) <2.7Ω @ VGS = 4.5V      Battery Operated Systems  Direct logic-level Interface: TTL/CMOS  Solid-State Relays Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead free product is acquired ESD Protected: 2KV SOT-363-6L top view Marking and pin Assignment Schematic diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device OUTLINE Device Package Reel Size Reel (PCS) Per Carton (PCS) 72K JMTLB2N7002KDS TAPING SOT-363-6L 7inch 3000 120000 Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage 60 V VGSS Gate-Source Voltage ±20 V ID Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current note1 PD Power Dissipation RθJA TJ, TSTG TA = 25℃ 0.2 TA = 100℃ 0.13 A 0.8 A TA = 25℃ 0.38 W Thermal Resistance, Junction to Ambient 328 ℃/W -55 to +150 ℃ Operating and Storage Temperature Range JieJie Microelectronics CO. , Ltd Version :1.3 -1- PDF
Документация на JMTLB2N7002KDS 

Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:

Дата модификации: 09.06.2022

Размер: 327.4 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)