Вход / Регистрация

2N7002DW

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETs 2N7002DW Dual N-channel MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX SOT-363 5Ω@10V 60 V 115mA 6  7Ω@5V 5 4 1 2 3 APPLICATION z Load Switch for Portable Devices z DC/DC Converter FEATURE High density cell design for low RDS(ON) z Voltage controlled small signal switch z Rugged and reliable z High saturation ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид 2N7002DW

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= 2N7002KDW (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт — — —
P= 2N7002DW (SHIKUES)
 

2N7002DW (ONS-FAIR) 		SOT-323-6 SOT363 100 шт ± — — — —
P= 2N7002DW (YJ)
 

2N7002DW (ONS-FAIR) 		SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт — —
P- 2N7002KCDW (YJ)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт — —
P- WM06DN03DE (WAYON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- WM06DN03D (WAYON)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт — — — — — —
P- JMTLB2N7002KDS (JIEJIE)
 
SOT-323-6 SOT363 3000 шт
 
 — — — —
P- 2N7002DW (EVVO)
 

2N7002DW (ONS-FAIR) 		SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ 2N7002V (JSCJ)
 

2N7002V (ONS-FAIR) 		SOT-563
 
 — — —
A+ 2N7002DW K72 SOT-363 (JSCJ)
 
— в ленте 35 шт — — —
A+ 2N7002DW K72 (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT-363 — — —
A+ L2N7002DW1T1G (LRC)
 
— в ленте 629 шт
 
 ± — — Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETs 2N7002DW Dual N-channel MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX SOT-363 5Ω@10V 60 V 115mA 6  7Ω@5V 5 4 1 2 3 APPLICATION z Load Switch for Portable Devices z DC/DC Converter FEATURE High density cell design for low RDS(ON) z Voltage controlled small signal switch z Rugged and reliable z High saturation current capability z Equivalent Circuit MARKING MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Unit Value VDS Drain-Source voltage 60 V VGS Gate-Source voltage ±20 V ID Drain Current 115 mA PD Power Dissipation 150 mW RӨJA Thermal Resistance from Junction to Ambient 833 ℃/W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55-150 ℃ www.jscj-elec.com 1 Rev - 1.0 PDF
Документация на 2N7002DW 

Author: Administrator

Дата модификации: 13.01.2022

Размер: 1.13 Мб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    01 февраля 2024
    новость

    На склад КОМПЭЛ поступили дискретные полупроводники SUNCO

    Компания SUNCO является одной из важнейших полупроводниковых компаний КНР с бизнес–моделью IDM (Integrated Device Manufacture). Качество продукции SUNCO высоко ценится производителями электроники во всем мире. Дискретные полупроводниковые... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)