JMTP170C04D

JIEJIE
JMTP170C04D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application  N-Channel: 40V, 10A RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = 10V RDS(ON) < 27mΩ @ VGS = 4.5V  Battery Protection  Load Switch  Power Management  P-Channel: -40V, -10A RDS(ON) < 44mΩ @ VGS = -10V RDS(ON) < 62mΩ @ VGS = -4.5V 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED!  Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JMTP170C04D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application  N-Channel: 40V, 10A RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = 10V RDS(ON) < 27mΩ @ VGS = 4.5V  Battery Protection  Load Switch  Power Management  P-Channel: -40V, -10A RDS(ON) < 44mΩ @ VGS = -10V RDS(ON) < 62mΩ @ VGS = -4.5V 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED!  Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM)  Very Low On-resistance RDS(ON)  Fast Switching Speed SOP-8 Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device OUTLINE Device Package Reel Size Reel (PCS) Per Carton (PCS) 170C04D JMTP170C04D TAPING SOP-8 13inch 4000 48000 Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. N-Channel Max. P-Channel Units VDSS Drain-Source Voltage 40 -40 V VGSS Gate-Source Voltage ±20 ±20 V TA = 25℃ 10 -10 A TA = 100℃ 6.5 -6.5 A 40 -40 A 19 27.5 mJ TA = 25℃ 3.4 7.5 W Thermal Resistance, Junction to Ambient 36.8 16.7 ℃/W ID Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current note1 EAS Single Pulsed Avalanche Energy PD Power Dissipation RθJA TJ, TSTG note2 Operating and Storage Temperature Range JieJie Microelectronics CO. , Ltd -55 to +150 ℃ Version :1.0 -1- PDF
Документация на JMTP170C04D 

Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:

Дата модификации: 18.12.2020

Размер: 506.1 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)