JMTP170N06D

JMTP170N06D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  60V, 9.2A RDS(ON) < 20.4mΩ @ VGS = 10V RDS(ON) < 24.4mΩ @ VGS = 4.5V  Load Switch  PWM Application  Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead Free SOP-8(Dual) 100% UIS TESTED! Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Mar...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.