Вход / Регистрация

JMTP110N06D

JIEJIE
JMTP110N06D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  60V,11A RDS(ON) <14mΩ @ VGS = 10V RDS(ON) <18mΩ @ VGS = 4.5V  Load Switch  PWM Application  Power management  Advanced Trench Technology  Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired SOP-8(Dual) 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pin Ass...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJQ12SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 ± — — — — —
P- YJS05N06A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт — —
P- NCE60ND08S (NCE)
 
SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CRMM4900D (CRMICRO)
 
SOP8L
 
 — — —
P- IRF7351 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTP110N06D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  60V,11A RDS(ON) <14mΩ @ VGS = 10V RDS(ON) <18mΩ @ VGS = 4.5V  Load Switch  PWM Application  Power management  Advanced Trench Technology  Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired SOP-8(Dual) 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device OUTLINE Device Package Reel Size Reel (PCS) Per Carton (PCS) 110N06D JMTP110N06D TAPING SOP-8 13inch 4000 48000 Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage 60 V VGSS Gate-Source Voltage ±20 V TA = 25℃ 11 A TA = 100℃ 7.2 A 44 A 81 mJ TA = 25℃ 3.1 W Thermal Resistance, Junction to Ambient 40 ℃/W -55 to +150 ℃ ID Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current EAS PD RθJA TJ, TSTG note1 Single Pulsed Avalanche Energy note2 Power Dissipation Operating and Storage Temperature Range JieJie Microelectronics CO. , Ltd Version :1.0 -1- PDF
Документация на JMTP110N06D 

Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:

Дата модификации: 18.06.2021

Размер: 340.6 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)