Вход / Регистрация

JMTP3010D

JIEJIE
JMTP3010D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Applications Features     30V, 12A RDS(ON) < 11.6mΩ @ VGS = 10V  Load Switch PWM Application  Power Management  RDS(ON) < 18.7mΩ @ VGS = 4.5V Advanced Trench Technology 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead Free D1 G1 D2 G2 S1 SOP-8 S2 Schematic Diagram ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJSD12N03A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — —
P- WMS14DN03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- WM03DN85A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- NCE30ND09S (NCE)
 
SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTP3010D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Applications Features     30V, 12A RDS(ON) < 11.6mΩ @ VGS = 10V  Load Switch PWM Application  Power Management  RDS(ON) < 18.7mΩ @ VGS = 4.5V Advanced Trench Technology 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead Free D1 G1 D2 G2 S1 SOP-8 S2 Schematic Diagram Marking and Pin Assignment Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Outline Package 3010D JMTP3010D TAPING SOP-8 Reel Size Reel(pcs) 13" 4000 Per Carton (pcs) 48000 Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Symbol Parameter Value Units VDS Drain-to-Source Voltage 30 V VGS Gate-to-Source Voltage ±20 V ID Continuous Drain Current TA = 25°C 12 TA = 100°C 8 A IDM Pulsed Drain Current (1) 48 A EAS Single Pulsed Avalanche Energy (2) 36 mJ 1.9 W PD Power Dissipation TA = 25°C RθJA Thermal Resistance, Junction to Ambient(3) 66 °C/W TJ, TSTG Junction & Storage Temperature Range -55 to 150 °C JieJie Microelectronics Co., Ltd 1 Version：1.3 PDF
Документация на JMTP3010D 

Дата модификации: 10.08.2023

Размер: 400.3 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)