YJSD12N03A

Yangjie
RoHS YJSD12N03A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 30V 12A ＜12 mohm ＜15 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Rat...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCE30ND09S (NCE)
 
SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —
P- WMS14DN03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- CRMM4832D (CRMICRO)
 
SOP-8
 
 — — —
P- WM03DN85A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —
P- IRF8313TRPBF (JSMICRO)
 

IRF8313TRPBF (INFIN) 		— 2000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- JMTP3010D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — — —
P- JMSL0315APD (JIEJIE)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF8313 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ LDN4308T1G (LRC)
 
SOP-8
 
 ± — — — — — —
A+ LDN8308DT1AG (LRC)
 
—
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJSD12N03A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 30V 12A ＜12 mohm ＜15 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 30 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current 12 ID TA=70℃ @ Steady State Unit A 9.6 Pulsed Drain Current A IDM 50 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 2.5 W RθJA 50 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient @ Steady State B Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJSD12N03A F2 Q12N03.. 4000 8000 64000 13“ reel 1/7 S-E606 Rev.3.1,14-Oct-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJSD12N03AF2 

Microsoft Word - YJSD12N03A

Дата модификации: 14.10.2020

Размер: 1.12 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)