1N4448W

JSCJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 75 В, ток до 250 мА, с падением напряжения 1.25 В, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD123
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 15

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= 1N4148W (JSCJ)
 

1N4148W (DIODES) 		SOD123 в ленте 3000 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4148W (YJ)
 

1N4148W (DIODES) 		SOD123 в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4448W (DC)
 
SOD123 в ленте 3000 шт —
P= 1N4448W (SHIKUES)
 
SOD123 550 шт
 
 — — — — — —
P= MMBD4148A (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM)
P= 1N4148W (SHIKUES)
 

1N4148W (DIODES) 		SOD123 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P= 1N4148WQ (YJ)
 
SOD123 1531 шт
 
P= L1N4148WT1G (LRC)
 
SOD123 в ленте 3000 шт — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon
P= 1N4148W (ANBON)
 

1N4148W (DIODES) 		SOD123
 
 — — — —
A- 1N4148W (HOTTECH)
 

1N4148W (DIODES) 		SOD123 в ленте 3000 шт
 
 — —
A- MBR0580 (JSCJ)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A- 1N4148W (JSMICRO)
 

1N4148W (DIODES) 		SOD123 в ленте 3000 шт
 
 — —
A- 1N4448W (YJ)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon
A- 1N4448WQ (YJ)
 
—
 
A- BAS16WQ (YJ)
 
— 35 шт
 

Файлы 2

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-123 Plastic-Encapsulate Diodes 1N4448W FAST SWITCHING DIODE SOD-123 FEATURES     Small Package Low Reverse Current Fast Switching Speed Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion MARKING: T5 The marking bar indicates the cathode T5 T5 Solid dot = Green molding compound device, if none,the normal device. Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃ Parameter Symbol Limit Unit Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRM 100 V 75 V Peak Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM DC Blocking Voltage VR RMS Reverse Voltage VR(RMS) 53 V Forward Continuous Current IFM 500 mA Average Rectified Output Current IO 250 mA Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms IFSM 2.0 A Power Dissipation Pd 500 mW RθJA 250 ℃/W TJ,TSTG -55~+150 ℃ Thermal Resistance Junction to Ambient Operation Junction and Storage Temperature Range Electrical Ratings @Ta=25℃ Parameter Symbol Min V (BR)R 75 VF1 0.62 Typ Max Unit Conditions V = IR 10μA 0.72 V IF=5mA VF2 0.855 V IF=10mA VF3 1.0 V IF=100mA VF4 1.25 V IF=150mA IR1 2.5 μA VR=75V IR2 25 nA VR=20V Capacitance Between Terminals CT 4 pF VR=0V,f=1MHz Reverse Recovery Time trr 4 ns Reverse Breakdown Voltage Forward Voltage Reverse Current www.jscj-elec.com 1 IF=IR=10mA Irr=0.1XIR,RL=100Ω Rev. - 2.0 PDF
Документация на 1N4448W 

Author: Administrator

Дата модификации: 20.05.2020

Размер: 1.27 Мб

4 стр.

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-123 Plastic-Encapsulate Diodes 1N4448W SOD-123 FAST SWITCHING DIODE FEATURES MARKING: T5 Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃ Parameter Symbol Limit Unit Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRM 100 V 75 V Peak Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM DC Blocking Voltage VR RMS Reverse Voltage VR(RMS) 53 V Forward Continuous Current IFM 500 mA Average Rectified Output Current IO 250 mA Peak Forward Surge Current @t=1.0μs @t =1.0s Power Dissipation Thermal Resistance Junction to Ambient Storage Temperature and Junction Temperature 4.0 IFSM A 1.5 Pd 500 mW RθJA 250 ℃/W -55~+150 ℃ TSTG/Tj Electrical Ratings @Ta=25℃ Parameter Symbol Min V (BR)R 75 VF1 0.62 Typ Max Unit Conditions V IR=10μA 0.72 V IF=5mA VF2 0.855 V IF=10mA VF3 1.0 V IF=100mA VF4 1.25 V IF=150mA IR1 2.5 μA VR=75V IR2 25 nA VR=20V Capacitance Between Terminals CT 4 pF VR=0V,f=1MHz Reverse Recovery Time trr 4 ns Reverse Breakdown Voltage Forward Voltage Reverse Current IF=IR=10mA Irr=0.1XIR,RL=100Ω C,Jul,2012 PDF
Документация на 1N4448W 

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO

Дата модификации: 30.07.2012

Размер: 3.33 Мб

2 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    16 октября 2025
    новость

    Поступление новой продукции от SUNCO: расширяем ассортимент выпрямительных компонентов и транзисторов

    Владислав Долгов (КОМПЭЛ) На склад КОМПЭЛ поступила новая партия популярных дискретных компонентов, выпускаемых компанией SUNCO – одним из крупнейших китайских производителей силовой дискретной продукции с полным циклом производства. Компания,... ...читать

    11 октября 2024
    статья

    Реализация узла управления реле на базе компонентов SUNCO

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Для коммутирования как слаботочных сигналов, так и силовых цепей необходима надежная работа качественных электромеханических и полупроводниковые реле, например, выпускаемых компанией Hongfa. Подобрать... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)