2SC5585

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-523 2SC5585 3 TRANSISTOR (NPN) FEATURES High current. z Low VCE(sat). VCE(sat)≤250mV at IC = 200mA / IB = 10mA z 1 1. BASE 2 2. EMITTER MARKING: BX 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector- Base Voltage 15 V VCEO Collec...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-523
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
в ленте 5 шт
A+ PBSS4120T (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-40 (UTC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ EMX18 (JSCJ)
 
SOT-563
 
A+ BCW66H (JSCJ)
 
в ленте 1200 шт
 
A+ UMX18N (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363
 
A+ FMMT617 (SHIKUES)
 

FMMT617 (DIODES)
SOT-23-3
 
A+ PBSS4130T (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ 2SD1616AG-L-AB3-R (UTC)
 
SOT-89

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.