BC817-40

DC COMPONENTS CO., LTD. BC817 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for driver and output stage of audio amplifiers. SOT-23 .020(0.5) .012(0.3) Pinning 1 = Base 2 = Emitter 3 = Collector 3 .110(2.8) .083(2.1) .063(1.6) .047(1.2) 1 2 Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-B...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 15

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
PA BC817-40.235 (NEX-NXP) TO236 в ленте 10000 шт
PA BC817-40.215 (NEX-NXP) SOT-23-3 в ленте 3000 шт
P+ BC817-40 (YJ) SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P+ BC817-40 RF (TSC) SOT-23-3 1 шт
P= BC337-40 (DC) TO-92-3 в коробках 1000 шт
 
P= BC817-40 (NXP) SOT-23-3 1 шт
 
P= BC337-40 (DIOTEC) TO-92-3 в ленте 4000 шт формованные выводы Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
P= BC817-40 (DIOTEC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC817-40 (UTC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт
P= BCX19.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC817.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC817-25.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC818-40 (DIOTEC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC817-16 (YJ) SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BCX19.235 (NEX-NXP) TO236

Файлы 1

показать свернуть
DC COMPONENTS CO., LTD. BC817 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for driver and output stage of audio amplifiers. SOT-23 .020(0.5) .012(0.3) Pinning 1 = Base 2 = Emitter 3 = Collector 3 .110(2.8) .083(2.1) .063(1.6) .047(1.2) 1 2 Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC 500 mA Total Power Dissipation PD 300 mW Junction Temperature TJ +150 o Storage Temperature TSTG -55 to +150 o .091(2.3) .067(1.7) .045(1.2) .034(0.9) .118(3.0) .110(2.8) .008(0.2) .004(0.1) .051(1.3) .035(0.9) .028(0.7) .012(0.3) C .004 Max (0.10) .028(0.7) .012(0.3) Dimensions in inches and (millimeters) C Electrical Characteristics o (Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Collector-Base Breakdown Volatge BVCBO 50 - - V Collector-Emitter Breakdown Voltage BVCEO 45 - - V IC=10mA, IB=0 Emitter-Base Breakdown Volatge BVEBO 5 - - V IE=1µA, IC=0 ICBO - - 0.1 µA VCB=45V, IE=0 Collector Cutoff Current (1) Test Conditions IC=10µA, IE=0 Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) - - 0.7 V IC=500mA, IB=50mA Base-Emitter Saturation Voltage (1) VBE(sat) - - 1.2 V IC=500mA, IB=50mA (1) hFE1 100 - 600 - IC=100mA, VCE=1V hFE2 40 - - fT 100 - - MHz - 4 - pF DC Current Gain Transition Frequency Output Capacitance (1)Pulse Test: Pulse Width Cob 380µs, Duty Cycle Classification of hFE1 Rank 25 40 Range 160~400 250~600 Making 6B 6C 2% IC=500mA, VCE=1V IC=10mA, VCE=5V, f=100MHz VCB=10V, f=1MHz, IE=0 PDF
Документация на BC817-40 

DATASHEET SEARCH SITE == WWW.ICPDF.COM DATASHEET SEARCH, DATABOOK, COMPONENT, FREE DOWNLOAD SITE:ICPDF.COM

Дата модификации: 14.05.2020

Размер: 671.5 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.