BC856S

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors % &'  DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP) 6 5  (   Two transistors in one package z Reduces number of components and board space z z No mutual interference between the transistors 1 2 3 4  )*  !" $/"#0" $"12 )+))  ,-.' 879$ ? % ?  ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= BC856S (YJ)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMSTA92 (JSCJ)
 
—
 
 — — —
A+ LBC856AWT1G (LRC)
 
—
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors % &'  DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP) 6 5  (   Two transistors in one package z Reduces number of components and board space z z No mutual interference between the transistors 1 2 3 4  )*  !" $/"#0" $"12 )+))  ,-.' 879$ ? % ?  ? % #7""# ?!"  Collector- Base Voltage -80 V Collector-Emitter Voltage -65 V Emitter-Base Voltage -5 V  Collector Current -Continuous -0.1 A  Collector Power Dissipation 0.2 W  Thermal Resistance Junction to Ambient 625 /W TJ,TSTG Operation Junction and Storage Temperature Range -55~+150         '345 ,-.' !" $/"#0"  "6"12 #7""# 879$ " $1$ ) 8 ):  $"$#9" 9#";1$0 <$=" V(BR)CBO IC=-10A,IE=0 -80 V $"$#"7"# 9#";1$0 <$=" V(BR)CEO IC=-10mA,IB=0 -65 V 7"#9" 9#";1$0 <$=" V(BR)EBO IE=-10A,IC=0 -5 V $"$# !$66 !##" ICBO VCB=-30V,IE=0 -15 nA 7"# !$66 !##" IEBO VEB=-5V,IC=0 -100 nA hFE VCE=-5V,IC=-2mA IC=-10mA, IB=-0.5mA -0.1 V IC=-100mA, IB=-5mA * -0.3 V  !##" = $"$#"7"# !#$ <$=" %""7"# !#$ <$=" ! !  " !##" %101/ #$1! VCE(sat) VBE(sat) Cobo fT 110 IC=-10mA, IB=-0.5mA 0.7 VCB =-10V, f= 1MHz, IE = 0 VCE =-5V, IC =-10mA, f= 100MHz V 2.5 100 pF MHz >pulse test: PW350μS, 2%. www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на BC856S 

Microsoft Word - BC856S_SOT-363_.DOC

Дата модификации: 30.06.2020

Размер: 1.15 Мб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    30 января 2024
    новость

    Широкий ассортимент дискретных компонентов JSCJ поступил на склад КОМПЭЛ

    Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из крупнейших китайских разработчиков и производителей полупроводников. Компания самостоятельно разрабатывает и выпускает полупроводниковые пластины для большей части номенклатуры, благодаря... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)